SAMPATH, Sridhar, Philipp MAYDANNIK, Tatiana IVANOVA, Tomáš HOMOLA, Mika SILLANPAA, Rameshbabu NAGUMOTHU a Viswanathan ALAGAN. Structural and morphological characterization of Al2O3 coated macro-porous silicon by atomic layer deposition. Thin Solid Films. 2016, roč. 616, October, s. 628-634. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.026.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Structural and morphological characterization of Al2O3 coated macro-porous silicon by atomic layer deposition
Autoři SAMPATH, Sridhar (356 Indie, garant), Philipp MAYDANNIK (643 Rusko), Tatiana IVANOVA (643 Rusko), Tomáš HOMOLA (703 Slovensko, domácí), Mika SILLANPAA (246 Finsko), Rameshbabu NAGUMOTHU (356 Indie) a Viswanathan ALAGAN (356 Indie).
Vydání Thin Solid Films, 2016, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Švýcarsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.879
Kód RIV RIV/00216224:14310/16:00090987
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.026
UT WoS 000389388600089
Klíčová slova anglicky Electrochemical anodization;Atomic layer deposition;Porous silicon;Conformal coating;Band gap energy
Štítky AKR, rivok
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 13. 4. 2017 23:06.
Anotace
In the present study, Al2O3 coated on macro-porous silicon (m-PS) is prepared by atomic layer deposition (ALD) whereas m-PS is prepared by electrochemical anodization of P type silicon (100) with current density of 15 mA/cm2. Field emission scanning electron microscopy analysis shows Al2O3 nanoparticles with size of ~ 100 nm are conformally coated on m-PS. The surface chemistry and formation mechanism of ALD of Al2O3 (ALD-Al2O3) on m-PS are demonstrated in detail. Optical profilometer results of Al2O3/m-PS confirm conformality of Al2O3 coating on m-PS because the surface amplitude parameter values of m-PS are decreased after ALD-Al2O3. Fourier Transform Infrared analysis confirms that unstable Si-H species of m-PS are replaced with stable Si-Al species. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis of Al2O3/m-PS is carried out for chemical analysis and band gap energy measurement of Al2O3. The XPS survey spectrum shows that fluorine peak is also evolved along with Al, O and C elements which confirm that m-PS surface consists of fluorine. The band gap energy of Al2O3 coating is calculated as 6.91 eV from analysis of high resolution O 1s spectrum.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 10:41