2017
Optical characterization of hafnia films deposited by ALD on copper cold-rolled sheets by difference ellipsometry
FRANTA, Daniel, Minna Paula Katriina KOTILAINEN, Richard KRUMPOLEC a Ivan OHLÍDALZákladní údaje
Originální název
Optical characterization of hafnia films deposited by ALD on copper cold-rolled sheets by difference ellipsometry
Autoři
FRANTA, Daniel (203 Česká republika, domácí), Minna Paula Katriina KOTILAINEN (246 Finsko, domácí), Richard KRUMPOLEC (703 Slovensko, domácí) a Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Applied Surface Science, AMSTERDAM, ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, 0169-4332
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 4.439
Kód RIV
RIV/00216224:14310/17:00097950
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000408756700024
Klíčová slova anglicky
Hafnia; Ellipsometry; Atomic layer deposition; Solar absorber
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 10. 4. 2018 11:43, Ing. Nicole Zrilić
Anotace
V originále
Hafnium oxide (HfO2) thin films could be potentially used as thermal diffusion barrier coatings for copper absorbers used in solar thermal collectors. Atomic layer deposition (ALD) was used to deposit thin, dense, non-columnar HfO2 films on copper sheets, which are established base materials for solar absorbers. The aim of this work is to find a simple and efficient method for quantitative characterization of thin hafnium oxide films deposited on imperfect rough copper sheets. The difference ellipsometry applied in infrared region was found to be a practical tool for non-destructive characterization of thin films deposited onto metal surfaces even when these surfaces are imperfect. The presented method enables us not only to identify the presence of hafnium oxide but also to perform quantitative characterization, i.e. to determine the thickness of the film. Moreover, a simple method, in which the thickness is determined from the height of the structure in the difference ellipsometric data, is presented. This method is demonstrated on HfO2 film with nominal thickness 60 nm deposited by ALD on copper cold-rolled sheet.
Návaznosti
LO1411, projekt VaV |
|