GABLECH, I., Ondřej CAHA, V. SVATOS, J. PEKAREK, P. NEUZIL a Tomáš ŠIKOLA. Stress-free deposition of [001] preferentially oriented titanium thin film by Kaufman ion-beam source. Thin Solid Films. Lausanne: Elsevier science, 2017, roč. 638, September, s. 57-62. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2017.07.039.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Stress-free deposition of [001] preferentially oriented titanium thin film by Kaufman ion-beam source
Autoři GABLECH, I. (203 Česká republika), Ondřej CAHA (203 Česká republika, garant, domácí), V. SVATOS (203 Česká republika), J. PEKAREK (203 Česká republika), P. NEUZIL (203 Česká republika) a Tomáš ŠIKOLA (203 Česká republika).
Vydání Thin Solid Films, Lausanne, Elsevier science, 2017, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Švýcarsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.939
Kód RIV RIV/00216224:14310/17:00099462
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2017.07.039
UT WoS 000411775900008
Klíčová slova anglicky Ion-beam sputtering deposition; Kaufman ion-beam source; Titanium thin film; [001] preferential orientation; Residual stress; Rocking curve
Štítky NZ, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Ing. Nicole Zrilić, učo 240776. Změněno: 11. 4. 2018 23:49.
Anotace
We proposed a method to control and minimize residual stress in [001] preferentially oriented Ti thin films deposited by a Kaufman ion-beam source using a substrate temperature during deposition (1) as the parameter. We determined the residual stress, corresponding lattice parameters, and thickness of deposited films using X-ray diffraction and X-ray reflectivity measurements. We showed that the Ti film deposited at T approximate to 273 degrees C was stress free with corresponding lattice parameters.ao and co of (2.954 +/- 0.003) angstrom and (4.695 +/- 0.001) angstrom, respectively. The stress-free sample has the superior crystallographic quality and pure [001] orientation. The Ti thin films were oriented with the c-axis parallel to the surface normal. We also investigated root mean square of surface roughness of deposited films by atomic force microscopy and it was in the range from 0.58 nm to 0.71 nm. Such smooth and stress-free layers are suitable for microelectromechanical systems. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.
Návaznosti
LM2015041, projekt VaVNázev: CEITEC Nano
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC Nano
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 12:29