2018
Preparation of Heteroleptic Tin(IV) N,O-beta-heteroarylalkenolate Complexes and Their Properties as PI-MOCVD Precursors for SnO2 Deposition
PODHORSKÝ, Ján, Tomas MURAUSKAS, Corinna HEGEMANN, David GRAF, Thomas FISCHER et. al.Základní údaje
Originální název
Preparation of Heteroleptic Tin(IV) N,O-beta-heteroarylalkenolate Complexes and Their Properties as PI-MOCVD Precursors for SnO2 Deposition
Název česky
Příprava heteroleptických komeplexů ciničitých s N,O-beta-heteroarylalkenoláty a jejich vlastnosti jako prekurzory pro přípravu SnO2 pomocí PI-MOCVD
Autoři
PODHORSKÝ, Ján (703 Slovensko, domácí), Tomas MURAUSKAS (440 Litva), Corinna HEGEMANN (276 Německo), David GRAF (276 Německo), Thomas FISCHER (276 Německo), Michal BABIAK (703 Slovensko, domácí), Jiří PINKAS (203 Česká republika, domácí), Valentina PLAUSINAITIENE (440 Litva), Sanjay MATHUR (276 Německo), Adulfas ABRUTIS (440 Litva) a Zdeněk MORAVEC (203 Česká republika, garant, domácí)
Vydání
European Journal of Inorganic Chemistry, 2018, 1434-1948
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10402 Inorganic and nuclear chemistry
Stát vydavatele
Německo
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.578
Kód RIV
RIV/00216224:14310/18:00104042
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000453041700011
Klíčová slova anglicky
Precursor chemistry; SnO2; MOCVD
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 2. 5. 2019 15:58, Mgr. Tereza Miškechová
V originále
Trifluoroacetonylazines were used in this work to prepare complexes of tin(IV). Five complexes were obtained and their structures, behavior and suitability for PI-MOCD were investigated. Two of those complexes are suitable as precursors for the fabrication of thin-film SnO2. Obtained materials were successfully tested in gas sensors.
Česky
Trifluoroacetonylazinové ligandy byly použity k přípravě ciničitých komplexů. Bylo získaných pět komplexů, u kterých se analyzovali jejich strukturní vlastnosti, chování a vhodnost pro PI-MOCVD depozice SnO2. Dva z těchto komplexů se ukázali jako vhodné prekurzory pro výrobu plynových senzorů na bázi tenkovrstvého SnO2.
Návaznosti
LM2015043, projekt VaV |
| ||
LQ1601, projekt VaV |
|