Detailed Information on Publication Record
2018
Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním
HNILICA, Jaroslav, Peter KLEIN, Katarína BERNÁTOVÁ, Petr VAŠINA, Marta ŠLAPANSKÁ et. al.Basic information
Original name
Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním
Name in Czech
Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním
Name (in English)
Technology for thin film deposition by magnetron sputtering
Authors
HNILICA, Jaroslav (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Peter KLEIN (703 Slovakia, belonging to the institution), Katarína BERNÁTOVÁ (703 Slovakia, belonging to the institution), Petr VAŠINA (203 Czech Republic, belonging to the institution) and Marta ŠLAPANSKÁ (203 Czech Republic, belonging to the institution)
Edition
2018
Other information
Language
Czech
Type of outcome
Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda, plemeno
Field of Study
20506 Coating and films
Country of publisher
Czech Republic
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/18:00101864
Organization unit
Faculty of Science
Keywords (in Czech)
magnetronové naprašování; depoziční proces
Keywords in English
magnetron sputtering; deposition process
Technical parameters
V rámci optimalizace technologického postupu byl studován vliv střídy, tlaku i vzdálenosti na depoziční rychlost, tok energie a ionizační stupeň.
Magnetron byl buzen stejnosměrně (DC) i pulzy vysokého výkonu (HiPIMS). Navržená technologie je charakterizována těmito depozičními podmínkami: DC buzení za 1 Pa, výkonu 1 kW a střídou 100% a buzení pomocí HiPIMS za 1 Pa, výkonu 1 kW, délce pulzu 200us, frekvenci 60 Hza střídě 1,2 %.
Očekává se sepsání smlouvy o využití výsledků s firmou SHM, s.r.o., která již o výsledky projevila zájem.
Tags
International impact
Změněno: 7/12/2018 08:42, doc. Mgr. Jaroslav Hnilica, Ph.D.
V originále
Navržená technologie ukazuje, že použití stejnosměrného magnetronového naprašování vede ke čtyřnásobně rychlejší depozici vrstvy v porovnání s magnetronovým naprašováním buzeným pulzy vysokého výkonu, a tedy je proces mnohem efektivnější a méně energeticky náročný. Použitím magnetronového naprašování buzeného pulzy vysokého výkonu ovšem povede k deponování vrstvy nejen pomocí atomů, ale i iontů rozprašovaného materiálu, což vyústí k přípravě mnohem kvalitnějších deponovaných vrstev (větší přilnavosti k substrátu, nižší drsnosti či větší hustotě), což vyústí ve větší přidanou hodnotu daných vrstev. V tomto studovaném případě bude v místě, kde se vrstva deponuje na vzorek, až 48 % iontů.
In English
The proposed technology demonstrates that the use of DC magnetron sputtering results in a deposition of a layer four times faster compared to magnetron sputtering excited by high power pulses, and therefore the process is more efficient and less energy consuming. However, using a high power impulse magnetnetron sputtering leads to deposition of a layer not only by the sputterred atoms but also by the ions of the sputtered material, which results in the preparation of improved thin films (e.g. greater adhesion to the substrate, lower roughness or higher density), and thus it leads to depostion of thin films with higher added values. In this case, up to 48% of ions of sputered materials will be deposited at the substrate position.
Links
| TJ01000157, research and development project |
|