Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots

HACKL, Florian, Martyna GRYDLIK, Petr KLENOVSKÝ, Friedrich SCHAEFFLER, Thomas FROMHERZ a Moritz BREHM. Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots. Annalen der Physik (Berlin). 2019, roč. 531, č. 6, s. 1-12. ISSN 0003-3804. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1002/andp.201800259.

Základní údaje

• Originální název: Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
• Autoři: HACKL, Florian (40 Rakousko), Martyna GRYDLIK (616 Polsko), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, garant, domácí), Friedrich SCHAEFFLER (40 Rakousko), Thomas FROMHERZ (40 Rakousko) a Moritz BREHM (40 Rakousko).
• Vydání: Annalen der Physik (Berlin), 2019, 0003-3804.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Německo
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 3.317
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/19:00108336
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1002/andp.201800259
• UT WoS: 000471714300011
• Klíčová slova anglicky: SiGe/Si;kvantove tecky;rekombinacni procesy;kp teorie
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.

Návaznosti

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• TH01010419, projekt VaV: Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

• 7AMB17AT044, projekt VaV: Název: Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace

• 8C18001, projekt VaV: Název: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie