J 2018

Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers

HOLÝ, Václav, M. KRYSKO a M. LESZCZYNSKI

Základní údaje

Originální název

Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers

Autoři

HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant, domácí), M. KRYSKO (616 Polsko) a M. LESZCZYNSKI (616 Polsko)

Vydání

Journal of Applied Crystallography, Chester, INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2018, 1600-5767

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 2.867

Kód RIV

RIV/00216224:14310/18:00106421

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

UT WoS

000440411700001

Klíčová slova anglicky

X-ray diffraction; diffuse scattering; chemical fluctuations; elasticity; InGaN

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 4. 2022 09:04, Mgr. Marie Šípková, DiS.

Anotace

V originále

Diffuse X-ray scattering from random chemical inhomogeneities in epitaxial layers of InGaN/GaN was simulated using linear elasticity theory and kinematical X-ray diffraction. The simulation results show the possibility of determining the r.m.s. deviations of the local In content and its lateral correlation length from reciprocal-space maps of the scattered intensity. The reciprocal-space distribution of the intensity scattered from inhomogeneities is typical and it can be distinguished from other sources of diffuse scattering such as threading or misfit dislocations.