2019
Single-particle-picture breakdown in laterally weakly confining GaAs quantum dots
HUBER, Daniel, Barbara Ursula LEHNER, Diana CSONTOSOVÁ, Marcus REINDL, Simon SCHULER et. al.Základní údaje
Originální název
Single-particle-picture breakdown in laterally weakly confining GaAs quantum dots
Autoři
HUBER, Daniel (40 Rakousko), Barbara Ursula LEHNER (40 Rakousko), Diana CSONTOSOVÁ (703 Slovensko, domácí), Marcus REINDL (40 Rakousko), Simon SCHULER (40 Rakousko), Saimon Filipe COVRE DA SILVA (40 Rakousko), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, garant, domácí) a Armando RASTELLI
Vydání
Physical Review B, American Physical Society, 2019, 2469-9950
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.575
Kód RIV
RIV/00216224:14310/19:00111689
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000502781800003
Klíčová slova česky
kvantove tecky; magneticke pole; konfiguracni interakce
Klíčová slova anglicky
quantum dots; magnetic field; configuration interaction
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 26. 3. 2020 17:09, Mgr. Marie Šípková, DiS.
Anotace
V originále
We present a detailed investigation of different excitonic states weakly confined in single GaAs/AlGaAs quantum dots obtained by the Al droplet-etching method. For our analysis we make use of temperature-, polarization-, and magnetic-field-dependent u-photoluminescence measurements, which allow us to identify different excited states of the quantum dot system. Besides that, we present a comprehensive analysis of g-factors and diamagnetic coefficients of charged and neutral excitonic states in Voigt and Faraday configuration. Supported by theoretical calculations by the configuration-interaction method, we show that the widely used single-particle Zeeman Hamiltonian cannot be used to extract reliable values of the g-factors of the constituent particles from excitonic transition measurements.
Návaznosti
LQ1601, projekt VaV |
| ||
8C18001, projekt VaV |
|