Laser-induced crystallization of anodic TiO2 nanotube layers

SOPHA, Hanna, Inam MIRZA, Hana TURČIČOVÁ, David PAVLIŇÁK, Jan MICHALIČKA, Miloš KRBAL, Jhonatan RODRIGUEZ-PEREIRA, Luděk HROMÁDKO, Ondřej NOVÁK, Jiří MUŽÍK, Martin SMRŽ, Eva KOLÍBALOVÁ, Nathan GOODFRIEND, Nadezda M. BULGAKOVA, Tomáš MOCEK a Jan M. MACÁK. Laser-induced crystallization of anodic TiO2 nanotube layers. RSC Advances. The Royal Society of Chemistry, 2020, roč. 10, č. 37, s. 22137-22145. ISSN 2046-2069. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1039/d0ra02929g.

Základní údaje

• Originální název: Laser-induced crystallization of anodic TiO2 nanotube layers
• Autoři: SOPHA, Hanna (garant), Inam MIRZA, Hana TURČIČOVÁ, David PAVLIŇÁK (203 Česká republika, domácí), Jan MICHALIČKA, Miloš KRBAL, Jhonatan RODRIGUEZ-PEREIRA, Luděk HROMÁDKO, Ondřej NOVÁK, Jiří MUŽÍK, Martin SMRŽ, Eva KOLÍBALOVÁ, Nathan GOODFRIEND, Nadezda M. BULGAKOVA, Tomáš MOCEK a Jan M. MACÁK.
• Vydání: RSC Advances, The Royal Society of Chemistry, 2020, 2046-2069.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10300 1.3 Physical sciences
• Stát vydavatele: Velká Británie a Severní Irsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 3.361
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/20:00115758
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1039/d0ra02929g
• UT WoS: 000542724200048
• Klíčová slova anglicky: TiO2 nanotube layers; laser-induced crystalization
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

In this study, crystallization of amorphous TiO(2)nanotube (TNT) layers upon optimized laser annealing is shown. The resulting anatase TNT layers do not show any signs of deformation or melting. The crystallinity of the laser annealed TNT layers was investigated using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The study of the (photo-)electrochemical properties showed that the laser annealed TNT layers were more defective than conventional TNT layers annealed in a muffle oven at 400 degrees C, resulting in a higher charge recombination rate and lower photocurrent response. However, a lower overpotential for hydrogen evolution reaction was observed for the laser annealed TNT layer compared to the oven annealed TNT layer.

Návaznosti

• LO1411, projekt VaV: Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy

• LQ1601, projekt VaV: Název: CEITEC 2020 (Akronym: CEITEC2020)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC 2020

• 90103, velká výzkumná infrastruktura: Název: CEMNAT II
• 90110, velká výzkumná infrastruktura: Název: CzechNanoLab