KUBEČKA, Martin, Jozef TOMAN, Miroslav ŠNÍRER, Ondřej JAŠEK, Vít KUDRLE a Jana JURMANOVÁ. The role of microwave plasma temperature during graphene nanosheets deposition on dielectric substrate: Modelling and experiment. Online. In NANOCON Conference Proceedings - International Conference on Nanomaterials. 1. vyd. Ostrava: TANGER Ltd., 2020, s. 80-84. ISBN 978-80-87294-95-6. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2019.8455.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název The role of microwave plasma temperature during graphene nanosheets deposition on dielectric substrate: Modelling and experiment
Název česky Role teploty mikrovlnného plazmatu během depozice grafenu na dielektrický substrát: Modelování a experiment
Autoři KUBEČKA, Martin (203 Česká republika, domácí), Jozef TOMAN (703 Slovensko, domácí), Miroslav ŠNÍRER (703 Slovensko, domácí), Ondřej JAŠEK (203 Česká republika, garant, domácí), Vít KUDRLE (203 Česká republika, domácí) a Jana JURMANOVÁ (203 Česká republika, domácí).
Vydání 1. vyd. Ostrava, NANOCON Conference Proceedings - International Conference on Nanomaterials, od s. 80-84, 5 s. 2020.
Nakladatel TANGER Ltd.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání elektronická verze "online"
WWW Web konference
Kód RIV RIV/00216224:14310/20:00114695
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 978-80-87294-95-6
ISSN 2694-930X
Doi http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2019.8455
UT WoS 000664115400012
Klíčová slova česky Grafen; mikrovlnné plazma; teplota; dielektrický substrát
Klíčová slova anglicky Graphene; microwave plasma; temperature; dielectric substrate
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 10. 8. 2021 15:00.
Anotace
The relation between plasma temperature and properties of graphene nanosheet layer deposited on Si/SiO2 substrate by decomposition of ethanol in microwave plasma torch discharge at atmospheric pressure was investigated in dependence on delivered microwave power and gas flow rates. Plasma modelling was carried out using COMSOL Multiphysics software with delivered microwave power, gas flow rates and experimental reactor geometry as input parameters. Results of the heat flow and fluid dynamics modelling were compared with substrate temperature measured by thermocouple integrated in quartz tube substrate holder. The graphene nanosheets layer was characterized by SEM, Raman spectroscopy and 4-point probe method. The layers were severals tens of micrometre thick and their sheet resistance varied from 2 to 40 kiloohm/sq. The properties of individual graphene nanosheets, 2D/G and D/G Raman band ratio, as well as the sheet resistance of their conductive network were correlated with the increase of plasma temperature with increasing microwave power. The substrate temperature increased linearly with delivered microwave power and the layer sheet resistance was decreasing with increasing microwave power and saturated at 2 kiloohm/sq and D/G ratio of 0.6.
Anotace česky
Vztah mezi teplotou plazmy a vlastnostmi vrstvy naneseného grafenu nanesené na Si / SiO2 substrát rozkladem ethanolu ve výboji mikrovlnného plazmového hořáku za atmosférického tlaku byl zkoumány v závislosti na dodaném mikrovlnném výkonu a rychlostech toku plynu. Bylo provedeno plazmové modelování ven pomocí softwaru COMSOL Multiphysics s dodaným mikrovlnným výkonem, průtoky plynu a experimentální geometrie reaktoru jako vstupní parametry. Byly porovnány výsledky modelování toku tepla a dynamiky tekutin s teplotou substrátu měřenou termočlánkem integrovaným do držáku substrátu z křemenné trubice. The vrstva grafenových nanočástic byla charakterizována metodou SEM, Ramanovou spektroskopií a 4bodovou sondovou metodou. The vrstvy byly silné několik desítek mikrometrů a jejich listový odpor se pohyboval od 2 do 40 kiloohm/m2. Vlastnosti jednotlivé grafenové nanosheety, poměr 2D/G a D/G Ramanova pásma, stejně jako jejich listová rezistence vodivé sítě korelovaly se zvýšením teploty plazmy se zvyšujícím se mikrovlnným výkonem. Teplota substrátu se lineárně zvyšovala s dodaným mikrovlnným výkonem a odporem vrstvy klesala se zvyšujícím se mikrovlnným výkonem a nasycená při 2 kiloohm/sq a D/G poměr 0,6.
Návaznosti
GA18-08520S, projekt VaVNázev: Studium procesu nukleace dvourozměrných uhlíkových nanostruktur v mikrovlnném plazmatu
Investor: Grantová agentura ČR, Studium procesu nukleace dvourozměrných uhlíkových nanostruktur v mikrovlnném plazmatu
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 30. 7. 2024 10:10