Metody měření polovodičových součástek: rtg, optická spektroskopie

CAHA, Ondřej a Josef HUMLÍČEK. Metody měření polovodičových součástek: rtg, optická spektroskopie. ON Semiconductor, 2020.

Základní údaje

• Originální název: Metody měření polovodičových součástek: rtg, optická spektroskopie
• Název anglicky: Masurement methods of semiconductor devices: X-ray, optical spectroscopy
• Autoři: CAHA, Ondřej (203 Česká republika, garant, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí).
• Vydání: 2020.
• Nakladatel: ON Semiconductor

Další údaje

• Originální jazyk: čeština
• Typ výsledku: Projekty výzkumu a vývoje
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Česká republika
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Kód RIV: RIV/00216224:14740/20:00120005
• Organizační jednotka: Středoevropský technologický institut
• Klíčová slova anglicky: semiconductors; silicon; X-ray diffraction; optical spectroscopy
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam

Anotace

Výzkumná zpráva se zabývá metodami analýz polovodičových součástek. Popsány jsou metody rtg difrakce pro detekci elastického napětí, mapování gradientu dopingu v silně legovaném křemíku. Dále pak optickou spektroskopií k určování koncentrací příměsí v silně legovaném polovodiči.

Anotace anglicky

The report deals with methods of semiconductor material analysis. X-ray diffraction methods of elastic strain determination, doping inhomogeneities is highly doped silicon. The optical spectroscopy was used to determine impurity concentration in highly doped silicon wafers.

Návaznosti

• TH03010006, projekt VaV: Název: Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů

Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů