J 1996

Far-infrared Ellipsometry of Depleted Surface Layer in Heavily Doped N-type GaAs

HUMLÍČEK, Josef, R. HENN a M. CARDONA

Základní údaje

Originální název

Far-infrared Ellipsometry of Depleted Surface Layer in Heavily Doped N-type GaAs

Autoři

HUMLÍČEK, Josef, R. HENN a M. CARDONA

Vydání

Appl. Phys. Lett. USA, Institute of Physics, 1996, 0003-6951

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/96:00000416

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

A1996VN89800044
Změněno: 29. 2. 2000 16:36, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Návaznosti

MSM 143100002, záměr
Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur