D 2021

Growth Mechanism And Functional Properties Of Gas-Phase Synthesized Few-Layer Graphene

JAŠEK, Ondřej; Jozef TOMAN; Miroslav ŠNÍRER; Vít KUDRLE; Jana JURMANOVÁ et al.

Základní údaje

Originální název

Growth Mechanism And Functional Properties Of Gas-Phase Synthesized Few-Layer Graphene

Název česky

Mechanismus růstu a funkční vlastnosti několikavrstvého grafenu syntetizovaného v plynné fázi

Autoři

Vydání

1st. Ostrava, Czech Republic, EU, Conference Proceedings - NANOCON 2021, od s. 29-35, 7 s. 2021

Nakladatel

TANGER Ltd.

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Forma vydání

elektronická verze "online"

Označené pro přenos do RIV

Ne

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

978-80-88365-00-6

ISSN

EID Scopus

Klíčová slova česky

grafén, mikrovlnné plazma, mechanismus růstu

Klíčová slova anglicky

graphene, microwave plasma, growth mechanism

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 20. 12. 2022 10:46, Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D.

Anotace

V originále

Microwave plasma-based gas-phase synthesis of graphene and its derivatives represents a simple, environmentally friendly, and easily scalable production method enabling emerging large-scale applications. Microwave plasma decomposition of organic precursors, hydrocarbons, and alcohols, forms a high-temperature environment, where the process of catalyst-free dehydrogenation and consequent formation C atoms and C2 molecules leads to the nucleation and growth of high-quality few-layer graphene nanosheets. Structure of the synthesized carbon material changed from graphitic nanoparticles to graphene nanosheets with increasing H/C atomic ratio in the precursors, for C2H2 and CH4, respectively. Using alcohols, ethanol - C2H5OH and diethylether - (C2H5)2O, the main hydrocarbon fragments generated during the decomposition of CxHyO structure resulted in the gas composition with high enough H/C atomic ratio to growth nanosheets with low intensity Raman D band and high integrated intensity ratio of 2D/G Raman band, 1.5 and higher. However, the yield of the synthesis strongly depended on the arrangement of atoms in the precursor molecule. Prepared material was analyzed by electron microscopy, Raman and X-ray photoelectron spectroscopy and thermogravimetry. High temperature oxidation resistance and electrical conductivity of prepared samples was investigated.

Česky

Mikrovlnná plazmová syntéza grafenu a jeho derivátů v plynné fázi představuje jednoduchou, ekologicky šetrnou a snadno škálovatelnou výrobní metodu umožňující rozsáhlé aplikace. Mikrovlnný plazmový rozklad organických prekurzorů, uhlovodíků a alkoholů vytváří vysokoteplotní prostředí, kde proces bezkatalyzátorové dehydrogenace a následná tvorba C atomů a C2 molekul vede k nukleaci a růstu vysoce kvalitních několikavrstvých grafenových nanostruktur. Struktura syntetizovaného uhlíkového materiálu se změnila z grafitických nanočástic na grafenové nanovrstvy se zvyšujícím se atomovým poměrem H/C v prekurzorech typu C2H2 a CH4. Použitím alkoholů, ethanolu - C2H5OH a diethyletheru - (C2H5)2O, hlavní uhlovodíkové fragmenty generované během rozkladu struktury CxHyO vedly ke složení plynu s dostatečně vysokým atomovým poměrem H/C a k růstu nanovrstev s nízkou intenzitou Ramanova D pásu a vysokým poměrem intenzity 2D/G Ramanova pásů, 1,5 a vyšším. Výtěžek syntézy však silně závisel na uspořádání atomů v molekule prekurzoru. Připravený materiál byl analyzován elektronovou mikroskopií, Ramanovou a XPS spektroskopií a termogravimetrií. U připravených vzorků byla zkoumána odolnost proti oxidaci za vysokých teplot a elektrická vodivost.

Návaznosti

GA18-08520S, projekt VaV
Název: Studium procesu nukleace dvourozměrných uhlíkových nanostruktur v mikrovlnném plazmatu
Investor: Grantová agentura ČR, Studium procesu nukleace dvourozměrných uhlíkových nanostruktur v mikrovlnném plazmatu
LM2018097, velká výzkumná infrastruktura
Název: Centrum výzkumu a vývoje plazmatu a nanotechnologických povrchových úprav (Akronym: CEPLANT)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, R&D centre for plasma and nanotechnology surface modifications

Přiložené soubory

nanocon2021_jasek_nanocon.pdf
Požádat o autorskou verzi souboru