YUAN, Xueyong, Saimon F. Covre da SILVA, Diana CSONTOSOVÁ, Huiying HUANG, Christian SCHIMPF, Marcus REINDL, Junpeng LU, Zhenhua NI, Armando RASTELLI a Petr KLENOVSKÝ. GaAs quantum dots under quasiuniaxial stress: Experiment and theory. Physical Review B. American Physical Society, 2023, roč. 107, č. 23, s. "235412-1"-"235412-12", 12 s. ISSN 2469-9950. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.107.235412.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název GaAs quantum dots under quasiuniaxial stress: Experiment and theory
Autoři YUAN, Xueyong (garant), Saimon F. Covre da SILVA, Diana CSONTOSOVÁ (703 Slovensko, domácí), Huiying HUANG, Christian SCHIMPF, Marcus REINDL, Junpeng LU, Zhenhua NI, Armando RASTELLI a Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, domácí).
Vydání Physical Review B, American Physical Society, 2023, 2469-9950.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.700 v roce 2022
Kód RIV RIV/00216224:14310/23:00130993
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.107.235412
UT WoS 001134290100006
Klíčová slova anglicky Elasticity; Electronic structure; Excitons; Fermions; Lifetimes and widths; Luminescence; Nonlocality; Quantum cryptography; Stress
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 19. 3. 2024 14:48.
Anotace
The optical properties of excitons confined in initially unstrained GaAs/AlGaAs quantum dots are studied as a function of a variable quasiuniaxial stress. To allow the validation of state-of-the-art computational tools for describing the optical properties of nanostructures, we determine the quantum dot morphology and the in-plane components of externally induced strain tensor at the quantum dot positions. Based on these experimental parameters, we calculate the strain-dependent excitonic emission energy, degree of linear polarization, and fine-structure splitting using a combination of eight-band k⋅p formalism with multiparticle corrections using the configuration interaction method. The experimental observations are quantitatively well reproduced by our calculations and deviations are discussed.
Návaznosti
8C18001, projekt VaVNázev: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie
VytisknoutZobrazeno: 1. 8. 2024 08:25