J 1999

Characterisation of Silicon Oxide Thin Films Deposited by Plasma Enhanced CVD from Octamethylcyclotetrasiloxane/Oxygen Feeds

ZAJÍČKOVÁ, Lenka, Jan JANČA a Vratislav PERINA

Základní údaje

Originální název

Characterisation of Silicon Oxide Thin Films Deposited by Plasma Enhanced CVD from Octamethylcyclotetrasiloxane/Oxygen Feeds

Název česky

Charakterizace tenkých vrstev oxidu křemíku připravených metodou PECVD z oktametylcyklotetrasiloxanu ve směsi s kyslíkem

Autoři

ZAJÍČKOVÁ, Lenka (203 Česká republika, garant), Jan JANČA (203 Česká republika) a Vratislav PERINA

Vydání

Thin Solid Films, New York, Elsevier, 1999, 0042-6090/99

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/99:00002175

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000078758500009

Klíčová slova anglicky

PECVD; OMTS

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 17. 7. 2007 15:09, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.

Anotace

V originále

Characterisation of Silicon Oxide Thin Films Deposited by Plasma Enhanced CVD from Octamethylcyclotetrasiloxane/Oxygen Feeds

Návaznosti

MSM 143100003, záměr
Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek