KRIZMAN, Gauthier, Tetiana ZAKUSYLO, Lakshmi SAJEEV, Mahdi HAJLAOUI, Takuya TAKASHIRO, Marcin ROSMUS, Natalia OLSZOWSKA, Jacek J. KOŁODZIEJ, Günther BAUER, Ondřej CAHA a Gunther SPRINGHOLZ. A Novel Ferroelectric Rashba Semiconductor. Advanced Materials. Wiley-VCH GmbH, 2024, roč. 36, č. 13, s. 1-12. ISSN 0935-9648. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1002/adma.202310278.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název A Novel Ferroelectric Rashba Semiconductor
Autoři KRIZMAN, Gauthier (garant), Tetiana ZAKUSYLO, Lakshmi SAJEEV (356 Indie, domácí), Mahdi HAJLAOUI, Takuya TAKASHIRO, Marcin ROSMUS, Natalia OLSZOWSKA, Jacek J. KOŁODZIEJ, Günther BAUER, Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí) a Gunther SPRINGHOLZ.
Vydání Advanced Materials, Wiley-VCH GmbH, 2024, 0935-9648.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 29.400 v roce 2022
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1002/adma.202310278
UT WoS 001129221300001
Klíčová slova anglicky angle-resolved photoemission spectroscopy; ferroelectricity; IV-VI compounds; phase transition; rashba spin texture; x-ray diffraction
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 2. 4. 2024 09:47.
Anotace
Fast, reversible, and low-power manipulation of the spin texture is crucial for next generation spintronic devices like non-volatile bipolar memories, switchable spin current injectors or spin field effect transistors. Ferroelectric Rashba semiconductors (FERSC) are the ideal class of materials for the realization of such devices. Their ferroelectric character enables an electronic control of the Rashba-type spin texture by means of the reversible and switchable polarization. Yet, only very few materials are established to belong to this class of multifunctional materials. Here, Pb1−xGexTe is unraveled as a novel FERSC system down to nanoscale. The ferroelectric phase transition and concomitant lattice distortion are demonstrated by temperature dependent X-ray diffraction, and their effect on electronic properties are measured by angle-resolved photoemission spectroscopy. In few nanometer-thick epitaxial heterostructures, a large Rashba spin-splitting is exhibiting a wide tuning range as a function of temperature and Ge content. This work defines Pb1−xGexTe as a high-potential FERSC system for spintronic applications.
Návaznosti
EH22_008/0004572, projekt VaVNázev: Kvantové materiály pro aplikace v udržitelných technologiích
90251, velká výzkumná infrastrukturaNázev: CzechNanoLab II
VytisknoutZobrazeno: 17. 7. 2024 23:35