J 2000

Optical characterization of thin films with randomly rough boundaries using the photovoltage method

PAVELKA, Radek; Ivan OHLÍDAL; Jan HLÁVKA; Daniel FRANTA; Helmut SITTER et. al.

Základní údaje

Originální název

Optical characterization of thin films with randomly rough boundaries using the photovoltage method

Autoři

PAVELKA, Radek (203 Česká republika); Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, garant); Jan HLÁVKA (203 Česká republika); Daniel FRANTA (203 Česká republika) a Helmut SITTER

Vydání

Thin Solid Films, UK Oxford, Elsevier science, 2000, 0040-6090

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 1.160

Kód RIV

RIV/00216224:14310/00:00002318

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000087078800009

Klíčová slova anglicky

Photovoltage; Optical properties; Ellipsometry; Reflection spectroscopy
Změněno: 22. 12. 2003 01:01, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.

Anotace

V originále

In this paper the determination of the values of the optical parameters of thin films exhibiting randomly rough boundaries using a photovoltage method is presented. This photovoltage method is based on measuring the radiant flux passing through the film studied. Theoretical formulae needed for applying the method are derived. The practical utilization of the method is illustrated by means of characterizing a rough SiO2-film on a silicon single crystal. A correctness of the results achieved for this film is confirmed by values of the optical parameters of the SiO2-film determined by a combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry. It will also be shown that the photovoltage method enables us to determine the values of the optical parameters of the rough thin films with the randomly rough boundaries in a simpler way than the standard optical methods.

Návaznosti

GA202/98/0988, projekt VaV
Název: Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod
Investor: Grantová agentura ČR, Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod
VS96084, projekt VaV
Název: Společné laboratoře pro aplikovanou fyziku plazmatu a plazmovou chemii na PřF a PedF MU, VA v Brně a ÚFP AV ČR v Praze
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Společné laboratoře pro aplikovanou fyziku plazmatu a plazmovou chemii na PřF a PedF MU, VA v Brně a ÚFP AV ČR v Praze