2001
Deposition of DLC:Si(O) Films in Low Pressure Discharges
ZAJÍČKOVÁ, Lenka, Vilma BURŠÍKOVÁ, Vratislav PEŘINA, Anna MACKOVÁ, Jan JANČA et. al.Základní údaje
Originální název
Deposition of DLC:Si(O) Films in Low Pressure Discharges
Autoři
ZAJÍČKOVÁ, Lenka (203 Česká republika, garant), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika), Vratislav PEŘINA, Anna MACKOVÁ a Jan JANČA (203 Česká republika)
Vydání
Bratislava (Slovakia), Proceedings of 13th Symposium on Application of Plasma Processes, s. 43-46, 2001
Nakladatel
Dept. of Plasma Physics & Inst. of Physics, Comenius University Bratislava (Slovakia)
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Slovensko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/01:00003099
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
80-223-1573-7
Klíčová slova anglicky
DLC; Plasma Enhanced CVD; RF Discharges;
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 17. 7. 2007 17:52, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.
Anotace
V originále
Study of the properties of silicon doped DLC films deposited in rf low pressure discharges. Investigation of the influence of the deposition parameters on the film properties.
Návaznosti
GA202/00/P037, projekt VaV |
| ||
ME 301, projekt VaV |
| ||
ME 367, projekt VaV |
| ||
MSM 143100003, záměr |
| ||
OC 527.20, projekt VaV |
|