2001
GID study of strains in Si due to patterned SiO2
DANIEL, A.;, Václav HOLÝ, Y. ZHUANG, T. ROCH, J. GRENZER et. al.Základní údaje
Originální název
GID study of strains in Si due to patterned SiO2
Autoři
DANIEL, A.;, Václav HOLÝ, Y. ZHUANG, T. ROCH, J. GRENZER, Zdeněk BOCHNÍČEK a G. BAUER
Vydání
J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2001, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.260
Kód RIV
RIV/00216224:14310/01:00004220
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000169093700042
Klíčová slova anglicky
GID; stress;SiO2
Změněno: 29. 5. 2001 17:05, doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.
Anotace
V originále
Lateral strain modulation in a Si substrate arising from laterally patterned periodic SiO2 stripes were investigated by x-ray grazing incidence diffraction. In this diffraction geometry a depth dependent in-plane strain analysis was performed. Using finite element calculations the displacement field in the non-patterned Si substrate was calculated, which served as an input for the simulation of the diffracted intensities based on the distorted-wave Born approximation. By varying the lattice mismatch between the SiO2 stripes and the substrate, a good agreement between simulations and experimental diffraction data could be achieved.
Návaznosti
| VS96102, projekt VaV |
|