XPS and Ellipsometric Study of DLC/Silicon Interface

ZAJÍČKOVÁ, Lenka, Kateřina VELTRUSKÁ, Nataliya TSUD a Daniel FRANTA. XPS and Ellipsometric Study of DLC/Silicon Interface. Vacuum. USA: ELSEVIER (PERGAMON), 2001, roč. 61, 2-4, s. 269-273. ISSN 0042-207X.

Základní údaje

Originální název

XPS and Ellipsometric Study of DLC/Silicon Interface

Autoři

ZAJÍČKOVÁ, Lenka (203 Česká republika, garant), Kateřina VELTRUSKÁ (203 Česká republika), Nataliya TSUD a Daniel FRANTA (203 Česká republika)

Vydání

Vacuum, USA, ELSEVIER (PERGAMON), 2001, 0042-207X

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 0.541

Kód RIV

RIV/00216224:14310/01:00004313

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000168796500032

Klíčová slova anglicky

DLC films; XPS; Ellipsometry; Interface

Štítky

DLC films, ellipsometry, interface, XPS

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

Diamond-like carbon (DLC) films were prepared by plasma enhanced CVD from the mixture of methane and argon on silicon substrates. Films were characterized by multi-sample modification of variable angle spectroscopic ellipsometry. The ellipsometry showed that there is a transition interlayer between the DLC film and the silicon substrate that cannot be attributed to a thin silicon dioxide layer but rather to amorphous silicon and/or modified oxide layer. TRIM calculations revealed that argon or carbon ions could not produce a significant layer of amorphous silicon because the depth of target atom displacements is bellow the thickness of a native oxide layer. The chemical composition of a DLC film profile including a DLC/silicon interface was studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) coupled with an argon sputtering of the 34 nm thick DLC film. The DLC/silicon interface composed from less than 6 % of oxygen and gradually decreasing and increasing carbon and silicon percentage, respectively.

---

Návaznosti

GA202/00/P037, projekt VaV	Název: Plazmová depozice ochranných vrstev: charakterizace připravených vrstev a diagnostika užitého reaktivního plazmatu Investor: Grantová agentura ČR, Plazmová depozice ochranných vrstev: charakterizace připravených vrstev a diagnostika užitého reaktivního plazmatu
GA202/98/0988, projekt VaV	Název: Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod Investor: Grantová agentura ČR, Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod
ME 301, projekt VaV	Název: Vývoj a průmyslová aplikace nových supertvrdých nanokrystalických kompozitních otěruvzdorných ochranných vrstev Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Vývoj a průmyslová aplikace nových supertvrdých nanokrystalických kompozitních otěruvzdorných ochranných vrstev
MSM 143100003, záměr	Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
VS96084, projekt VaV	Název: Společné laboratoře pro aplikovanou fyziku plazmatu a plazmovou chemii na PřF a PedF MU, VA v Brně a ÚFP AV ČR v Praze Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Společné laboratoře pro aplikovanou fyziku plazmatu a plazmovou chemii na PřF a PedF MU, VA v Brně a ÚFP AV ČR v Praze