2001
Deposition Process Based on Organosilicon Precursors in Dielectric Barrier Discharges at Atmospheric Pressure - A Comparison
SONNENFELD, Axel, T. M. TUN, Lenka ZAJÍČKOVÁ, K. V. KOZLOV, H.-E. WAGNER et. al.Základní údaje
Originální název
Deposition Process Based on Organosilicon Precursors in Dielectric Barrier Discharges at Atmospheric Pressure - A Comparison
Autoři
SONNENFELD, Axel, T. M. TUN, Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, garant), K. V. KOZLOV, H.-E. WAGNER, J. F. BEHNKE a R. HIPPLER
Vydání
Plasmas and Polymers, New York, KLUWER ACADEMIC/PLENUM PUBLISHERS, 2001, 1084-0184
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/01:00005627
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
DBD
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 17. 7. 2007 17:51, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.
Anotace
V originále
Deposition Process Based on Organosilicon Precursors in Dielectric Barrier Discharges at Atmospheric Pressure - A Comparison
Návaznosti
| GA202/00/P037, projekt VaV |
|