J 2002

Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots

HUMLÍČEK, Josef, Dominik MUNZAR, Karel NAVRÁTIL a Michal LORENC

Základní údaje

Originální název

Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots

Autoři

HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant), Dominik MUNZAR (203 Česká republika), Karel NAVRÁTIL (203 Česká republika) a Michal LORENC (203 Česká republika)

Vydání

Physica E, Amsterdam, Elsevier Science, 2002, 1386-9477

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.107

Kód RIV

RIV/00216224:14310/02:00006541

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000176869100033

Klíčová slova anglicky

self-assembled quantum dots; photoluminescence; polarization anisotropy

Štítky

Změněno: 6. 11. 2003 11:46, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Anotace

V originále

We present results of our study of photoluminescence (PL) from multilayer InAs/GaAs quantum dot structures grown by metal organic vapor-phase epitaxy and discuss them in terms of the envelope function approximation. The intensity of the component of the PL signal polarized in the plane parallel to the substrate is substantially higher than that corresponding to the perpendicular polarization. In addition, the former depends on the angle between the electric vector and the direction of elongation of the dots.

Návaznosti

GA202/99/1613, projekt VaV
Název: Kvantové tečky v polovodičích III-V
Investor: Grantová agentura ČR, Kvantové tečky v polovodičích III-V
MSM 143100002, záměr
Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur