J 2002

Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

HESSE, Anke, Julian STANGL a Václav HOLÝ

Základní údaje

Originální název

Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

Autoři

HESSE, Anke (276 Německo), Julian STANGL (40 Rakousko) a Václav HOLÝ (203 Česká republika, garant)

Vydání

Physical Review B, USA, The American Physical Society, 2002, 0163-1829

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 3.070 v roce 2001

Kód RIV

RIV/00216224:14310/02:00007674

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000177972500079

Klíčová slova anglicky

Effect of overgrowth on shape; composition; and strain of SiGe islands on Si(001)

Štítky

Změněno: 12. 2. 2007 14:17, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Anotace

V originále

Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

Návaznosti

GA202/00/0354, projekt VaV
Název: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
MSM 143100002, záměr
Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur