J 2003

Optical constants of ZnTe and ZnSe epitaxial thin films

FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK, Alberto MONTAIGNE-RAMIL, Alberta BONANNI et. al.

Základní údaje

Originální název

Optical constants of ZnTe and ZnSe epitaxial thin films

Autoři

FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika), Alberto MONTAIGNE-RAMIL (192 Kuba), Alberta BONANNI (380 Itálie), David STIFTER (40 Rakousko) a Helmut SITTER (40 Rakousko)

Vydání

Acta Physica Slovaca, Bratislava, Institute of Physics SAS, 2003, 0323-0465

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Slovensko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 0.579

Kód RIV

RIV/00216224:14310/03:00008102

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000182451100002

Klíčová slova anglicky

SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; MATRIX FORMALISM; CARBON-FILMS; MULTISAMPLE; GAAS
Změněno: 25. 12. 2003 01:24, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.

Anotace

V originále

In this paper the spectral dependences of the optical constants, i.e. refractive index and extinction coefficient, are presented within the spectral region 220-850 nm. For determining these spectral dependences a multi-sample modification of the combined optical method based on a simultaneous interpretation of experimental data corresponding to variable angle spectro-scopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry is used. Further, physical models and an iterative procedure enabling us to determine the spectral dependences of the optical constants of both the epitaxial films are described in detail. The spectral dependences of the optical constants are introduced in the forms of curves and tables.

Návaznosti

GA202/01/1110, projekt VaV
Název: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
Investor: Grantová agentura ČR, Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou