Nitrogen in Czochralski-grown silicon

ŠIK, Jan, Michal LORENC a Richard ŠTOUDEK. Nitrogen in Czochralski-grown silicon. In SILICON 2002, Rožnov pod Radhostěm, TECON Scientific, editor K. Vojtěchovský. Neuveden: Neuveden, 2002, s. 125-128.

Základní údaje

Originální název

Nitrogen in Czochralski-grown silicon

Autoři

ŠIK, Jan (203 Česká republika), Michal LORENC (203 Česká republika) a Richard ŠTOUDEK (203 Česká republika, garant)

Vydání

Neuveden, SILICON 2002, Rožnov pod Radhostěm, TECON Scientific, editor K. Vojtěchovský, od s. 125-128, 4 s. 2002

Nakladatel

Neuveden

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/02:00008873

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

Klíčová slova anglicky

silicon; nitrogen

Štítky

Nitrogen, Silicon

---

Anotace

V originále

Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) are used to study nitrogen-doped Czochralski-grown (CZ) crystal. We observe nitrogen-related vibrational modes typical for CZ silicon and estimate nitrogen content to be 1.6x10^15 cm-3 from its quantitative analysis. This value is in a good agreement with result of 2.4x10^15 cm-3 from calculations assuming constant segregation coefficient 7x10^(-4). On the other hand, SIMS measurements give much higher value of 8.3x10^15 cm-3. Only 4-5% of nitrogen occupy substitutional sites. We also observe an obstruction of dislocation movement during crystal cooling.

---

Návaznosti

MSM 143100002, záměr

Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur