2003
Dependence of the Normalized Absorbance of the DLC:SiOx Thin Films on the Flow Rate of HMDSO
VALTR, Miroslav, Lenka ZAJÍČKOVÁ a Vilma BURŠÍKOVÁZákladní údaje
Originální název
Dependence of the Normalized Absorbance of the DLC:SiOx Thin Films on the Flow Rate of HMDSO
Autoři
VALTR, Miroslav (203 Česká republika, garant), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika) a Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika)
Vydání
1. vyd. Brno, JUNIORMAT 03, s. 58-59, 2003
Nakladatel
ÚMI VUT FSI v Brně ve spolupráci s Českou společností pro nové materiály a technologie
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14330/03:00008608
Organizační jednotka
Fakulta informatiky
ISBN
80-214-2462-1
Klíčová slova anglicky
plasma;DLC;films;methane;HMDSO;pecvd;radio frequency;discharge;FTIR;normalized absorbance
Štítky
Změněno: 29. 5. 2004 18:14, RNDr. JUDr. Vladimír Šmíd, CSc.
Anotace
V originále
Hard diamond like carbon (DLC) films with an addition of SiOx were deposited by capacitively coupled rf discharges from mixture of methane and hexamethyldisiloxane (HMDSO). The flow rate was changed in order to vary the SiOx content in the films. Thickness of the films was determined by ellipsometry. FTIR spectra showed presence of C-H bonds as well as silicon bonded to hydrogen and hydrocarbon groups. In the region 630-900 cm-1 normalized absorbance was computed. It is shown that the concentration of silicon containing bonds grows with the flow rate of HMDSO growing.
Návaznosti
GA202/00/P037, projekt VaV |
| ||
MSM 143100003, záměr |
|