Semiconducting glasses of the Ge-Bi-S system

FRUMAR, M., H. TICHÁ, L. KOUDELKA a Jiří FAIMON. Semiconducting glasses of the Ge-Bi-S system. Materials Research Bulletin. New York: Pergamon Press, 1976, roč. 11, č. 11, s. 1389-1396, 7 s. ISSN 0025-5408.

Základní údaje

Originální název

Semiconducting glasses of the Ge-Bi-S system

Název česky

Polovodivá skla v systému Ge-Bi-S

Autoři

FRUMAR, M., H. TICHÁ, L. KOUDELKA a Jiří FAIMON

Vydání

Materials Research Bulletin, New York, Pergamon Press, 1976, 0025-5408

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10402 Inorganic and nuclear chemistry

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

Klíčová slova česky

sklo; Ge; Bi; S; vlastnosti

Klíčová slova anglicky

glass; Ge; Bi; S; property

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

The glass forming region of the Ge-Bi-S system was determined. Electrical conductivity, glass-transition temperature, the values of the electrical and optical gaps of several glassy samples of the Ge-Bi-S system were determined. The absorption edge in the short-wavelength region complies with the Urbach rule and it is discussed in terms of the Dow and Redfield theory. The glasses are transparent in the infrared spectral region from 900 to 5000 cm-1.

Česky

The glass forming region of the Ge-Bi-S system was determined. Electrical conductivity, glass-transition temperature, the values of the electrical and optical gaps of several glassy samples of the Ge-Bi-S system were determined. The absorption edge in the short-wavelength region complies with the Urbach rule and it is discussed in terms of the Dow and Redfield theory. The glasses are transparent in the infrared spectral region from 900 to 5000 cm-1.