2004
Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry
FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK a Pere ROCA I CABARROCASZákladní údaje
Originální název
Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry
Název česky
Úplná charakterizace drsných polymorfních křemíkových vrstev pomocí mikroskopie atomové síly a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie
Autoři
FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Pere ROCA I CABARROCAS (250 Francie)
Vydání
Thin Solid Films, Oxford, UK, Elsevier science, 2004, 0040-6090
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 1.647
Kód RIV
RIV/00216224:14310/04:00010139
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000221690000071
Klíčová slova anglicky
Ellipsometry; Reflection; Optical properties; Polymorphous materials
Změněno: 3. 2. 2006 17:50, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.
V originále
In this paper the results of the complete characterization of hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H) films deposited onto silicon single crystal substrates performed by atomic force microscopy (AFM) and the combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry are presented. This combined method is applied in the multi-sample modification. The experimental data are measured within the near-UV, visible and near-IR regions (190-1000 nm). For treating the experimental data the dispersion model recently formulated for amorphous chalcogenide films is employed. This model is based on the parameterization of the density of electronic states. Moreover, for the treatment of the experimental data the structural model containing the defects, i.e. roughness of the upper boundaries of the films, overlayers, transition layers and refractive index profile inhomogeneity, is employed. The results of the characterization consist of the determination of the spectral dependences of the optical constants of the pm-Si:H films and the values of the parameters describing the defects of these films.
Česky
V článku jsou uvedeny výsledky týkající se úplné charakterizace hydrogenovaných polymorfních křemíkových (pm-Si:H) vrstev deponovaných na podložky z monokrystalického křemíku získané pomocí mikroskopie atomové síly (AFM) a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie. Tato kombinovaná metoda je aplikována ve formě vícevzorkové modifikace. Experimentální data jsou měřena v rámci blízké ultrafialové, viditelné a blízké infračervené oblasti (190-1000 nm). Pro zpracování experimentálních dat je využit dispersní model nedávno formulovaný pro amorfní chalkogenidové vrstvy. Tento model je založen na parametrizaci hustoty stavů elektronů. Navíc je využit pro zpracování experimentálních dat strukturní model obsahující defekty, tj. drsnost horních rozhraní vrstev, povrchové vrstvy, přechodové mezivrstvy a profil indexu lomu. Výsledky charakterizace se sestávají z určení spektrálních závislostí optických konstant p-m:Si vrstev a hodnot parametrů popisujících defekty těchto vrstev.
Návaznosti
| GA101/01/1104, projekt VaV |
| ||
| GA202/98/0988, projekt VaV |
| ||
| MSM 143100003, záměr |
|