2004
Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy
FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK a Miloslav OHLÍDALZákladní údaje
Originální název
Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy
Název česky
Charakterizace tenkých oxidových vrstev na GaAs podložkách pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly
Autoři
FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Miloslav OHLÍDAL (203 Česká republika)
Vydání
Surface and Interface Analysis, USA, John Wiley & Sons. 2004, 0142-2421
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 1.209
Kód RIV
RIV/00216224:14310/04:00010692
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000223652500136
Klíčová slova anglicky
THERMAL-OXIDATION; ROUGH BOUNDARIES; LAYERS
Štítky
Změněno: 3. 2. 2006 17:51, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.
V originále
In this paper the results of optical and atomic force microscopy characterization of oxide thin films prepared by thermal oxidation of GaAs single crystal wafers at a temperature of 500degreesC in air are presented. The optical characterization is performed using multi-sample modification of the method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the films exhibit the rough lower boundaries and refractive index profile inhomogeneities. The spectral dependences of the refractive index and extinction coefficient of these films are presented within the wide spectral region, i.e., 210-900 nm. The values of the thicknesses and roughness parameters characterizing the oxide films are introduced as well.
Česky
V tomto článku jsou uvedeny výsledky charakterizace tenkých oxidových vrstev připravených na podložkách z monokrystalu GaAs jejich termickou oxidací při teplotě 500o C ve vzduchu. Charakterizace je realizována pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly. Optická charakterizace je provedena využitím vícevzorkové modifikace metody založené na kombinaci víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie aplikované při téměř kolmém dopadu světla. Je ukázáno, že vrstvy vykazují drsná spodní rozhraní a profil indexu lomu. Spektrální závislosti indexu lomu a extinkčního koeficientu těchto vrstev jsou presentovány v široké spektrální oblasti, tj. v oblasti 210-900 nm. Hodnoty tlouštěk a parametrů drsnosti charakterizující oxidové vrstvy jsou také uvedeny.
Návaznosti
| GA101/01/1104, projekt VaV |
| ||
| MSM 143100003, záměr |
|