J 2004

Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation

KLAPETEK, Petr, Ivan OHLÍDAL a Karel NAVRÁTIL

Základní údaje

Originální název

Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation

Název česky

Analýza statistické drsnosti povrchů GaAs vzniklých termickou oxidací pomocí mikroskopie atomové síly

Autoři

KLAPETEK, Petr (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, garant) a Karel NAVRÁTIL (203 Česká republika)

Vydání

Microchimica Acta, Wien, Springer-Verlag, 2004, 0026-3672

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Rakousko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.050 v roce 2001

Kód RIV

RIV/00216224:14310/04:00011769

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000222214000008

Klíčová slova anglicky

THIN-FILMS; OPTICAL-PROPERTIES; OXIDE FILM; TIO2; BOUNDARIES; INTERFACE; SINGLE; LAYERS

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 2. 2007 16:28, doc. RNDr. Karel Navrátil, CSc.

Anotace

ORIG CZ

V originále

We have determined the important statistical quantities of the rough boundary between a GaAs single crystal and its oxide film formed by thermal oxidation. Thermal oxidation of the GaAs surfaces was performed at the temperature of 500 degreesC. Using mathematical procedures developed for treating AFM data consisting of a family of the values of the heights of the irregularities of this roughness the values of the important statistical quantities of roughness were determined for 11 samples of the GaAs surfaces created by dissolution of the thermal oxide films originated during thermal oxidation of the smooth GaAs samples (the times of oxidation of these 11 samples were within interval of 20 min-8 hours). From the AFM analysis of the roughness of GaAs surfaces it was found that the roughnening of these surfaces was the most pronounced for shorter oxidation times, i.e. for times smaller than about 2 hours.

Česky

Určili jsme významné statistické veličiny drsných povrchů monokrystalů GaAs vzniklých termickou oxidací. Termická oxidace těchto povrchů byla provedena při teplotě 500 C. Pomocí matematického postupu vyvinutého pro zpracování dat mikroskopie atomové síly byly určeny hodnoty významných statistických veličin zpracováním množiny hodnot výšek nerovností pro 11 vzorků povrchů GaAs připravených rozpuštěním vrstev termických oxidů vzniklých hladkých povrchů GaAs pro různé oxidační časy (interval oxidačních časů byl 20 minut až 8 hodin). Z analýzy provedené mikroskopií atomové síly jsme zjistili, že drsnost povrchů GaAs je výrazná pro kratší oxidační časy, tj. pro časy menší nebo okolo 2 hodin.

Návaznosti

GA101/01/1104, projekt VaV
Název: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie
Investor: Grantová agentura ČR, Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie
GA202/01/1110, projekt VaV
Název: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
Investor: Grantová agentura ČR, Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
MSM 143100002, záměr
Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur