KŘÁPEK, Vlastimil, Jan FIKAR a Josef HUMLÍČEK. Electronic Structure and Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots. In WDS'04 Proceedings of contributed papers. Praha: MFF UK, 2004, s. 469-474. ISBN 80-86732-32-0.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Electronic Structure and Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots
Název česky Elektronová struktura a optické vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček
Autoři KŘÁPEK, Vlastimil (203 Česká republika), Jan FIKAR (203 Česká republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant).
Vydání Praha, WDS'04 Proceedings of contributed papers, od s. 469-474, 6 s. 2004.
Nakladatel MFF UK
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/04:00010933
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 80-86732-32-0
Klíčová slova anglicky quantum dot; InAs; GaAs; optical transition; effective mass; single-band
Štítky effective mass, GAAS, InAs, optical transition, quantum dot, single-band
Změnil Změnil: Mgr. Vlastimil Křápek, Ph.D., učo 3006. Změněno: 10. 2. 2005 11:18.
Anotace
The approximative single-band effective mass model for calculating the electronic structure and optical properties of flat quantum dots was introduced. The comparison with more accurate model has shown the applicability of the approximations. The method has proved to be adequate for the interpretation of the experimental data.
Anotace česky
Byl vytvořen model pro výpočet elektronové struktury a optických vlastností plochých kvantových teček využívající jednopásovou aproximaci efektivní hmotnosti. Srovnání s přesnějšími modely ukázalo oprávněnost aproximací. Vytvořená metoda je dobře použitelná pro interpretaci experimentálních dat.
Návaznosti
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 28. 4. 2024 14:25