Detailed Information on Publication Record
2005
Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
LÜBBERT, D., C. FERRARI, Petr MIKULÍK, P. PERNOT, L. HELFEN et. al.Basic information
Original name
Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
Name in Czech
Analýza distribuce a Burgersových vektorů dislokací v polovodičových deskách zobrazením rocking-křivek
Authors
LÜBBERT, D. (276 Germany), C. FERRARI (380 Italy), Petr MIKULÍK (203 Czech Republic, guarantor), P. PERNOT (203 Czech Republic), L. HELFEN (276 Germany), N. VERDI (380 Italy), D. KORYTÁR (703 Slovakia) and T. BAUMBACH (276 Germany)
Edition
J. Appl. Crystallography, Velká Britanie, Int. Union of Crystallography, 2005, 0021-8898
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 5.248
RIV identification code
RIV/00216224:14310/05:00013607
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000226414500009
Keywords in English
lattice tilt; diffraction; X-ray diffraction; wafers; defects; InP; GaAs
Tags
Tags
International impact, Reviewed
Změněno: 12/2/2007 18:35, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
V originále
The method called rocking-curve imaging (RCI) has recently been developed to visualize lattice imperfections in large crystals such as semiconductor wafers with high spatial resolution. The method is based on a combination of X-ray rocking-curve analysis and digital X-ray diffraction topography. In this article, an extension of the method is proposed by which dislocation densities in largescale samples (semiconductor wafer crystals) can be quantified and their variation across the sample surface determined in an instrumentally simple way. Results from a nearly dislocation-free S-doped InP crystal and a semi-insulating GaAs are presented; both display a clearly non-random distribution of dislocations.
In Czech
Nedávno jsme vypracovali metodu 'zobrazování rocking-křivkami' (RCI), která s velkým prostorovým rozlišením umožňuje zobrazení nedokonalostí krystalové mříže ve velkých krystalech, jako jsou polovodičové desky.Metoda je založena na kombinaci analýzy rtg rocking křivek a digitální rtg difrakční topografie. V tomto článku navrhujeme rozšíření této metody, které umožní kvantifikovat hustotu dislokací a její distribuci na povrchu krystalu. Prezentujeme výsledky z téměř bezdislokačních S-dopovaných InP a z GaAs krystalů, na nichž je vidět nenáhodná distribuce dislokací.
Links
| MSM0021622410, plan (intention) |
|