HARTMANNOVÁ, Mária, Martin JERGEL, Vladislav NAVRÁTIL, Karel NAVRÁTIL, Katarina GMUCOVÁ, F.C. GANDARILLA, Jan ZEMEK, Stefan CHROMIK a Frantiaek KUNDRACIK. Effect of Structural Imperfections on the Characteristics of YSZ Dielectric Layers Grown by E-beam Evaporation fron the Crystalline Taggets. In Acta Physica Slovaca. I. Bratislava: Institute of Physics, SAS, Bratislava, Slovakia, 2005, s. 247-259. ISBN 5-94691-216-X.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Effect of Structural Imperfections on the Characteristics of YSZ Dielectric Layers Grown by E-beam Evaporation fron the Crystalline Taggets
Název česky Vliv strukturních nedokonalostí na charakteristiky YSZ dielektrických vrstev
Autoři HARTMANNOVÁ, Mária (703 Slovensko), Martin JERGEL (703 Slovensko), Vladislav NAVRÁTIL (203 Česká republika, garant), Karel NAVRÁTIL (203 Česká republika), Katarina GMUCOVÁ (703 Slovensko), F.C. GANDARILLA (724 Španělsko), Jan ZEMEK (703 Slovensko), Stefan CHROMIK (703 Slovensko) a Frantiaek KUNDRACIK (703 Slovensko).
Vydání I. Bratislava, Acta Physica Slovaca, od s. 247-259, 13 s. 2005.
Nakladatel Institute of Physics, SAS, Bratislava, Slovakia
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Slovensko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14410/05:00013806
Organizační jednotka Pedagogická fakulta
ISBN 5-94691-216-X
Klíčová slova anglicky Yttria stabilized zirconia; thin films; electrical conductivity; microhardness; refractive index; relative permitivity
Štítky Electrical Conductivity, Microhardness, refractive index, relative permitivity, thin films, yttria stabilized zirconia
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc., učo 129. Změněno: 25. 6. 2008 16:47.
Anotace
The films under study were deposited by e-beam evaporation on yttria-stabilized zirconia crystalline samples on the n-doped Si (111) substrate at 750 C. The electrical conductivity and the activation energy as the function of the yttria content indicated the influence of isolated oxygen ion vacancies as well as the associated point defects.The measured microhardness data as well as a high refractive index render from YSZ a promising material for protective coatings and optical applications respectively.
Anotace česky
Merene vrstvicky byly deponovany pomoci e-beam vyparovani na yttriem stabilizovanych zirkoniovych vzorcich na n-dopovanem Si (111) pri teplote 750 C. Mereni elektricke vodivosti a aktivacni energie v zavislosti na koncentraci yttria ukazuje na pritomnost izolovanych kyslikovych iontovych vakanci a s tim spojenych bodovych poruch. Vyledky mereni mechanickych resp. optickych vlastnosti (mikrotvrdost),resp. index lomu ukazuji na vhodnost vyuziti vrstvicek pro ochranné ucely.
Návaznosti
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
MSM 143100003, záměrNázev: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
VytisknoutZobrazeno: 18. 8. 2024 00:23