2005
Effect of Structural Imperfections on the Characteristics of YSZ Dielectric Layers Grown by E-beam Evaporation fron the Crystalline Taggets
HARTMANNOVÁ, Mária, Martin JERGEL, Vladislav NAVRÁTIL, Karel NAVRÁTIL, Katarina GMUCOVÁ et. al.Základní údaje
Originální název
Effect of Structural Imperfections on the Characteristics of YSZ Dielectric Layers Grown by E-beam Evaporation fron the Crystalline Taggets
Název česky
Vliv strukturních nedokonalostí na charakteristiky YSZ dielektrických vrstev
Autoři
HARTMANNOVÁ, Mária (703 Slovensko), Martin JERGEL (703 Slovensko), Vladislav NAVRÁTIL (203 Česká republika, garant), Karel NAVRÁTIL (203 Česká republika), Katarina GMUCOVÁ (703 Slovensko), F.C. GANDARILLA (724 Španělsko), Jan ZEMEK (703 Slovensko), Stefan CHROMIK (703 Slovensko) a Frantiaek KUNDRACIK (703 Slovensko)
Vydání
I. Bratislava, Acta Physica Slovaca, od s. 247-259, 13 s. 2005
Nakladatel
Institute of Physics, SAS, Bratislava, Slovakia
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Slovensko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14410/05:00013806
Organizační jednotka
Pedagogická fakulta
ISBN
5-94691-216-X
Klíčová slova anglicky
Yttria stabilized zirconia; thin films; electrical conductivity; microhardness; refractive index; relative permitivity
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 25. 6. 2008 16:47, prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc.
V originále
The films under study were deposited by e-beam evaporation on yttria-stabilized zirconia crystalline samples on the n-doped Si (111) substrate at 750 C. The electrical conductivity and the activation energy as the function of the yttria content indicated the influence of isolated oxygen ion vacancies as well as the associated point defects.The measured microhardness data as well as a high refractive index render from YSZ a promising material for protective coatings and optical applications respectively.
Česky
Merene vrstvicky byly deponovany pomoci e-beam vyparovani na yttriem stabilizovanych zirkoniovych vzorcich na n-dopovanem Si (111) pri teplote 750 C. Mereni elektricke vodivosti a aktivacni energie v zavislosti na koncentraci yttria ukazuje na pritomnost izolovanych kyslikovych iontovych vakanci a s tim spojenych bodovych poruch. Vyledky mereni mechanickych resp. optickych vlastnosti (mikrotvrdost),resp. index lomu ukazuji na vhodnost vyuziti vrstvicek pro ochranné ucely.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
| ||
| MSM 143100003, záměr |
|