D 2005

Electrical and dielectrical properties of SiOxHyCz thin films prepared by PECVD

FRANCLOVÁ, Jana a Vilma BURŠÍKOVÁ

Základní údaje

Originální název

Electrical and dielectrical properties of SiOxHyCz thin films prepared by PECVD

Název česky

Elektrické a dielektrické vlastnosti tenkých vrstev SiOxHyCz připravených PECVD

Autoři

FRANCLOVÁ, Jana (203 Česká republika, garant) a Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika)

Vydání

University of Technology, Brno, Juniormat 05, od s. 211-214, 4 s. 2005

Nakladatel

University of Technology, Brno

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/05:00013941

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

80-214-2984-4

Klíčová slova anglicky

Dielectrical properties; Frenkel-Poole conduction

Štítky

Změněno: 26. 9. 2005 17:56, doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

SiOxHyCz thin films prepared by PECVD of thickness about 100 - 500 nm were fabricated in the form of sandwich structures using Al electrodes, which show the Frenkel-Poole effect (enhanced conductivity at high electric field due to the lowering of the potential barrier donor-like centres), the value of the Frenkel-Poole field-lowering coefficient increased with the deposition time.

Česky

Tenké vrstvy SiOxHyCz připravené plazmochemickou depozicí o tloušťce 100 - 500 nm vykazují Frenkel-Poole efekt. Velikost Frenkel-Poolova koeficientu roste s depoziční dobou.

Návaznosti

MSM 143100003, záměr
Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek