J 2005

Thermal stability of SiOxCyHz films prepared by PECVD

KUČEROVÁ, Zuzana, Vilma BURŠÍKOVÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Jana FRANCLOVÁ, Vratislav PEŘINA et. al.

Základní údaje

Originální název

Thermal stability of SiOxCyHz films prepared by PECVD

Název česky

termální stabilita SiOxCyHz vrstev připravených metodou PECVD

Autoři

KUČEROVÁ, Zuzana (203 Česká republika), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, garant), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika), Jana FRANCLOVÁ (203 Česká republika) a Vratislav PEŘINA (203 Česká republika)

Vydání

Chemické listy, Praha, Česká společnost chemická, 2005, 0009-2770

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 0.445

Kód RIV

RIV/00216224:14310/05:00013953

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

Klíčová slova anglicky

thermal stability; TDS; PECVD; FTIR; RBSW; ERDA
Změněno: 16. 11. 2006 21:25, Mgr. Jana Meixnerová, Ph.D.

Anotace

V originále

Thermal stability of SiOxCyHz films prepared using PECVD was studied by TDS, FTIR, RBS, ERDA and spectroscopic elipsometry.

Česky

Termální stabilta vrstev SiOxCyHz připravovaných metodou PECVD byla studována pomocí TDS, FTIR, RBS, ERDA and spectroskopické elipsometrie.

Návaznosti

MSM0021622411, záměr
Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek