2005
Thermal stability of SiOxCyHz films prepared by PECVD
KUČEROVÁ, Zuzana, Vilma BURŠÍKOVÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Jana FRANCLOVÁ, Vratislav PEŘINA et. al.Základní údaje
Originální název
Thermal stability of SiOxCyHz films prepared by PECVD
Název česky
termální stabilita SiOxCyHz vrstev připravených metodou PECVD
Autoři
KUČEROVÁ, Zuzana (203 Česká republika), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, garant), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika), Jana FRANCLOVÁ (203 Česká republika) a Vratislav PEŘINA (203 Česká republika)
Vydání
Chemické listy, Praha, Česká společnost chemická, 2005, 0009-2770
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.445
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00013953
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
thermal stability; TDS; PECVD; FTIR; RBSW; ERDA
Změněno: 16. 11. 2006 21:25, Mgr. Jana Meixnerová, Ph.D.
V originále
Thermal stability of SiOxCyHz films prepared using PECVD was studied by TDS, FTIR, RBS, ERDA and spectroscopic elipsometry.
Česky
Termální stabilta vrstev SiOxCyHz připravovaných metodou PECVD byla studována pomocí TDS, FTIR, RBS, ERDA and spectroskopické elipsometrie.
Návaznosti
MSM0021622411, záměr |
|