Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas

ŠMÍD, Radek, Lenka ZAJÍČKOVÁ and Vilma BURŠÍKOVÁ. Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas. In Proceedings of the XXVII ICPIG. 1st ed. Eindhoven, Nizozemí: Eindhoven University of Technology, Nizozemí, 2005, p. 297-300. ISBN 90-386-2231-7.

Basic information

• Original name: Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas
• Name in Czech: Aktinometrie pro porozumění plazmochemické depozice tenkých vrstev z O2/HMDSO plazmatu
• Authors: ŠMÍD, Radek (203 Czech Republic, guarantor), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Czech Republic) and Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic).
• Edition: 1. vyd. Eindhoven, Nizozemí, Proceedings of the XXVII ICPIG, p. 297-300, 2005.
• Publisher: Eindhoven University of Technology, Nizozemí

Other information

• Original language: English
• Type of outcome: Proceedings paper
• Field of Study: 10305 Fluids and plasma physics
• Country of publisher: Netherlands
• Confidentiality degree: is not subject to a state or trade secret
• WWW: URL
• RIV identification code: RIV/00216224:14310/05:00014212
• Organization unit: Faculty of Science
• ISBN: 90-386-2231-7
• Keywords in English: actinometry; HMDSO; optical emission spectroscopy
• Tags: actinometry, HMDSO, optical emission spectroscopy
• Tags: International impact

Abstract

We applied actinometry for the calculation of dissociation degree in oxygen CCP discharges used for the deposition from O2/HMDSO plasmas. Dissociation degree exhibited a slight increase with increasing r.f. power and maximum of 20% for 5 Pa of oxygen. This relatively high value was not enough for deposition of SiO2-like films because the HMDSO percentage in the feed was too high at this low oxygen partial pressure. Rapid decrease of dissociation degree to 2-4% for higher oxygen flow rates, i.e. higher pressures resulted in still insufficient oxidation of film precursors.

Abstract (in Czech)

Použili jsme aktinometrii pro odhad disociačního koeficientu kyslíku v kapacitně vázaných výbojích používaných při depozicích z 02/HMDSO. Disociační stupeň v čistém kyslíku rostl s rostoucím výkonem a vykazoval maximum 20% při tlaku 5 Pa. Přesto tento disociační stupeň nebyl dostatečně vysoký, aby bylo možné vytvářet vrstvy podobné SiO2, protože při 5 Pa bylo stále ještě velké množství HMDSO ve směsi. Pokles disociačního stupně na 2-4% při vyšších průtocích kyslíku, tedy i tlacích, měl za následek nedostatečnou oxidaci vrstev rostoucích ze směsi obsahující větší procento 02.

Links

• MSM0021622411, plan (intention): Name: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Study and application of plasma chemical reactions in non-isothermic low temperature plasma and its interaction with solid surface

• 1K05025, research and development project: Name: Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Synthesis of new Si-O(N)-C materials by plasmachemical methods