2005
Morphological instability in InAs/GaSb superlattices due to interfacial bonds
LI, J H, D W STOKES, Ondřej CAHA, S L AMMU, J. BAI et. al.Základní údaje
Originální název
Morphological instability in InAs/GaSb superlattices due to interfacial bonds
Název česky
morfologická nestabita v InAs/GaSb supermřížce díky chemickým vazbám na rozhraní
Autoři
LI, J H (156 Čína), D W STOKES (840 Spojené státy), Ondřej CAHA (203 Česká republika, garant), S L AMMU (840 Spojené státy), J. BAI (840 Spojené státy), K E BASSLER (840 Spojené státy) a S C MOSS (840 Spojené státy)
Vydání
Physical Review Letters, USA, The Americal Physical Society, 2005, 0031-9007
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 7.489
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00014235
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000231503600044
Klíčová slova anglicky
STRAINED-LAYER SUPERLATTICES; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SURFACE-DIFFUSION; MU-M; GROWTH; LATTICE
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 9. 2. 2007 14:34, doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
V originále
Synchrotron x-ray diffraction is used to compare the misfit strain and composition in a self-organized nanowire array in an InAs/GaSb superlattice with InSb interfacial bonds to a planar InAs/GaSb superlattice with GaAs interfacial bonds.
Česky
Synchrotronové rtg. záření je použito ke srovnání deformace a složení samouspořádané matrice v InAs/GaSb supermřížce s InSb vazbami na rozhraní a rovinné InAs/GaSb supermřížky s GaAs vazbami na rozhraní.
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|