J 2005

Comparison of the ionisation efficiency in a microwave and a radio-frequency assisted magnetron discharge

DE POUCQUES, Ludovic, Jean-Christophe IMBERT, Petr VAŠINA, Caroline BOISSE-LAPORTE, Lionel TEULÉ-GAY et. al.

Základní údaje

Originální název

Comparison of the ionisation efficiency in a microwave and a radio-frequency assisted magnetron discharge

Název česky

Srovnání ionizační účinnosti mikrovlnného a radio-frekvenčního výboje doprovázejícího magnetronový výboje

Autoři

DE POUCQUES, Ludovic (250 Francie), Jean-Christophe IMBERT (250 Francie), Petr VAŠINA (203 Česká republika, garant), Caroline BOISSE-LAPORTE (250 Francie), Lionel TEULÉ-GAY (250 Francie), Jean BRETAGNE (250 Francie) a Michel TOUZEAU (250 Francie)

Vydání

Surface and Coating Technology, New York, ELSEVIER, 2005, 0257-8972

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.646

Kód RIV

RIV/00216224:14310/05:00012904

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000232327800176

Klíčová slova anglicky

IPVD; sputtering; magnetron discharge; microwave discharge; RF discharge; absorption spectroscopy
Změněno: 23. 2. 2006 14:53, prof. Mgr. Petr Vašina, Ph.D.

Anotace

V originále

Comparison of two sources of ionisation in an IPVD reactor, microwave and RF discharge.

Česky

Srovnání dvou zdrojů ionisace pri magnetronovém naprašováni, dodatečného mikrovlnného a RF výboje.

Návaznosti

GD202/03/H162, projekt VaV
Název: Pokročilé směry ve fyzice a chemii plazmatu
Investor: Grantová agentura ČR, Pokročilé směry ve fyzice a chemii plazmatu
MSM0021622411, záměr
Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek