2005
Infrared Response of Heavily Doped p-type Si and SiGe Alloys from Ellipsometric Measurements
HUMLÍČEK, Josef a Vlastimil KŘÁPEKZákladní údaje
Originální název
Infrared Response of Heavily Doped p-type Si and SiGe Alloys from Ellipsometric Measurements
Název česky
Infračervená odezva silně legovaného p-typu Si a slitin SiGe z elipsometrických měření
Autoři
HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant) a Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika)
Vydání
USA, CP772, Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, od s. 113-114, 2 s. 2005
Nakladatel
American Institute of Physics
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00014387
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
0-7354-0257--4
UT WoS
000230723900033
Klíčová slova anglicky
silico-germanium alloys; infrared ellipsometry
Změněno: 1. 2. 2006 12:41, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
V originále
We report here ellipsometric spectra of Si and SiGe alloys heavily doped with boron. In the mid-infrared range, the response can be separated into the contributions of free-hole plasma and direct intervalence transitions. The first contribution extrapolates correctly to the zero-frequency resistance, the second is in a good agreement with the 8-band k.p calculation.
Česky
Elipsometrická spektra Si a slitin SiGe silně legovaných bórem. Ve střední infračervené oblasti lze v optické odezvě oddělit příspěvky plasmatu volných děr a přímých mezipásových přechodů. První z obou příspěvků dává správnou extrapolaci stejnosměrného odporu, druhý je v dobré shodě s osmipásovou k.p aproximací.
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|