2005
Optical characterization of double layers containing epitaxial ZnSe and ZnTe films
ŠILER, Martin, Ivan OHLÍDAL, Daniel FRANTA, Alberto MONTAIGNE-RAMIL, Alberta BONANNI et. al.Základní údaje
Originální název
Optical characterization of double layers containing epitaxial ZnSe and ZnTe films
Název česky
Optická charakterizace dvojvrstev obsahující eptaxní ZnSe a ZnTe vrstvy
Autoři
ŠILER, Martin (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, garant), Daniel FRANTA (203 Česká republika), Alberto MONTAIGNE-RAMIL (192 Kuba), Alberta BONANNI (380 Itálie), David STIFTER (40 Rakousko) a Helmut SITTER (40 Rakousko)
Vydání
Journal of Modern Optics, London, UK, Taylor and Francis, LtD, 2005, 0950-0340
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 0.977
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00013026
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000226661800008
Klíčová slova anglicky
ellipsometry; spectrophotometry; epitaxial layer
Štítky
Změněno: 3. 2. 2006 17:42, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.
V originále
In this paper results of the optical characterisation of double layers consisting of ZnTe and ZnSe thin films prepared by molecular beam epitaxy onto GaAs single crystal substrates are presented. For this optical characterisation the optical method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry is used in multi-sample modification applied within the spectral region 230-850 nm. Using this method the spectral dependences of the optical constants of the upper ZnTe thin films are determined within the spectral region mentioned above. Spectral dependences of the optical constants of the lower ZnSe thin films were determined within the spectral region 450-850 nm. Boundary roughness of these double layers and overlayers is respected. RMS values of the heights of the irregularities of the boundaries and thicknesses and optical constants of the overlayers are determined by means of the combined optical method as well. The uppermost boundaries of the double layers are, moreover, analysed using atomic force microscopy because of verification of the RMS values of these boundaries obtained by the optical method. The spectral dependences of the optical constants of the upper ZnTe films and lower ZnSe films determined in this paper are compared with those presented for ZnTe single layers and ZnSe single layers in the literature.
Česky
V tomto článkujsou presentovány výsledky optické charakterizace dvojvrstev sestávajících se z ZnTe a ZnSe vrstev připravených molekulární svazkovou epitaxií na podložky z monokrystalického GaAs. Pro optickou charakterizaci byla využita optická metoda založená na víceúhlové spektroskopické elipsometrii a téměř kolmé spektroskopické reflektometrii v podobě mnohavzorkové modifikace v rámci oblasti 230-850 nm. Užitím této metody jsou určeny spektrální závislosti optických konstant horních vrstev ZnTe uvnitř výše zmíněné spetkrální oblasti. Spektrální závislosti optických konstant spodních vrstev ZnSe byly určeny v rámci spektrální oblasti 450-850 nm. Drsnost rozhraní je respektována. RMS hodnoty výšek nerovností rozhraní a tloušťky a optické konstanty povrchových vrstev jsou určeny pomocí kombinované metody rovněž. Horní rozhraní dvojvrstev jsou navíc analyzovány pomocí mikroskopie atomové síly kvůli ověření hodnot RMS těchto rozhraní obdržených pomocí optické metody. Spektrální závislosti optických konstant horních ZnTe vrstev a spodních ZnSe vrstev jsou srovnány se spektrálními závislostmi jednoduchých ZnTe a ZnSe vrstev presentovaných v literatuře.
Návaznosti
| GA101/01/1104, projekt VaV |
|