FALUB, Claudiu, Mojmír MEDUŇA, Elisabeth MÜLLER, Soichiro TSUJINO, Alex BORAK, Hans SIGG, Detlev GRÜTZMACHER, Thomas FROMHERZ a Günther BAUER. Structural studies of strain-symmetrised Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy. Journal of crystal growth. Amsterdam: Elsevier Science, 2005, roč. 278, 1-4, s. 495-499. ISSN 0022-0248.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Structural studies of strain-symmetrised Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy
Název česky Strukturní studie napěťově symetrizovaných Si/SiGe struktur pěstovaných molekulární svazkovou epitaxí
Autoři FALUB, Claudiu (642 Rumunsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant), Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko), Soichiro TSUJINO (392 Japonsko), Alex BORAK (756 Švýcarsko), Hans SIGG (756 Švýcarsko), Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo), Thomas FROMHERZ (40 Rakousko) a Günther BAUER (40 Rakousko).
Vydání Journal of crystal growth, Amsterdam, Elsevier Science, 2005, 0022-0248.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.681
Kód RIV RIV/00216224:14310/05:00013334
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000228916300092
Klíčová slova anglicky High-resolution X-ray diffraction; Multiple quantumwell structures; Molecular beamepitaxy; Si/SiGe
Štítky High-resolution X-ray diffraction, Molecular beamepitaxy, Multiple quantumwell structures, Si/SiGe
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 14. 2. 2007 09:41.
Anotace
We present recent achievements on the low-temperature (300 C) molecular beam epitaxial growth of high Ge content Si/SiGe modulation-doped multiple quantum well structures on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates. Highresolution X-ray reflectivity and diffraction experiments performed at the Swiss Light Source synchrotron, as well as analysis by transmission electron microscopy, showed very good control of the growth parameters and interface r.m.s. roughness as low as 0.4 nm.
Anotace česky
V publikaci jsou prezentovány výsledky nízkoteplotního růstu (300 C) pomocí molekulární svazkové epitaxe struktur Si/SiGe s mnohonásobnými modulačně dopovanými kvantovými jámami s vysokým obsahem Ge na Si0.5Ge0.5 pseudosubstrátech. Experimenty rtg reflexe a difrakce s vysokým rozlišením byly provedeny na synchrotrony SLS. Také analýza pomocí transmisní elektronové mikroskopie ukazuje dobrou regulaci růstových parametrů a drsnosti rozhraní < 0.4 nm.
Návaznosti
GP202/05/P286, projekt VaVNázev: Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
Investor: Grantová agentura ČR, Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
VytisknoutZobrazeno: 2. 5. 2024 21:17