FRGALA, Zdeněk, Ondřej JAŠEK, Monika KARÁSKOVÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Daniel FRANTA, Jiřina MATĚJKOVÁ, Antonin REK, Petr KLAPETEK a Jiří BURŠÍK. Microwave PECVD of nanocrystalline diamond with rf induced bias nucleation. Czechoslovak Journal of Physics B. Praha: Institute of Physics, AV ČR, roč. 56, č. 1, s. B1218-B1223, 6 s. ISSN 0011-4626. 2006.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Microwave PECVD of nanocrystalline diamond with rf induced bias nucleation
Název česky Depozice nanokystalickéhi diamantu metodou mikrovlnného PECVD s nukleací pomocí rf predpětí
Autoři FRGALA, Zdeněk (203 Česká republika, garant), Ondřej JAŠEK (203 Česká republika), Monika KARÁSKOVÁ (203 Česká republika), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika), Daniel FRANTA (203 Česká republika), Jiřina MATĚJKOVÁ (203 Česká republika), Antonin REK (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Jiří BURŠÍK (203 Česká republika).
Vydání Czechoslovak Journal of Physics B, Praha, Institute of Physics, AV ČR, 2006, 0011-4626.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 0.568
Kód RIV RIV/00216224:14310/06:00015900
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000241337000029
Klíčová slova anglicky nanocrystalline diamond; plasma enhanced chemical vapor deposition; self-bias
Štítky nanocrystalline diamond, self-bias
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D., učo 8533. Změněno: 11. 12. 2006 13:27.
Anotace
Nanocrystalline diamond film was deposited by microwave CVD in the ASTeX type reactor on a mirror polished (111) oriented n-doped silicon substrate. The deposition mixture consisted of 9 % of methane in hydrogen. The applied microwave power (2.45 GHz) and pressure were 850 W and 7.5 kPa, respectively. The substrate temperature was 1 090 K. The diamond nucleation process was enhanced by rf induced dc self {bias of -125 V. The film exhibited very low roughness (rms of heights 9.1 nm). Its hardness and elastic modules were 70 and 375 GPa, respectively. The optical constants were determined by combination of spectroscopic ellipsometry and reflectometry employing the Rayleigh-Rice theory for the roughness and the dispersion model of optical constants based on the parameterization of densities of states. The deposition rate was 57 nm/min including the 5 min nucleation step.
Anotace česky
Vrtsvy nanokrystalického diamantu byly připraveny metodou mikrovlnného CVD v reaktoru typu ASTEX na leštěných n-typ dopovaných křemíkových substrátech s orientací (111). Depoziční směs obsahovala 9% metanu ve vodíku. Dodávaný mikrovlnný výkon (2,45 GHz) byl 850 W a tlak byl 7,5 kPa. Teplota substrátu byla 1090 K. Nukleační proces probíhal za pomocí předpětí(-125 V) vytvářeného pomocí vysokofrekvenčního výboje. Deponované vrstvy se jevily jako velmi hladké ( rms tloušťky 9,1 nm). Tvrdost a elastický modul byly 70 a 375 GPa. Optické konstanty byly určeny kombinací spektroskopické elipsometrie a refletometrie za použití Rayleigh-Riceovi teorie pro drsnost a disperzního modelu pro optické konstanty založeného na parametrizaci hustot stavů. Depoziční rychlost byla 57 nm/min včetně 5 minutové nukleační fáze.
Návaznosti
GA202/05/0607, projekt VaVNázev: Příprava uhlíkových mikro- a nanostruktur plazmovými technologiemi
Investor: Grantová agentura ČR, Příprava uhlíkových mikro- a nanostruktur plazmovými technologiemi
MSM0021622411, záměrNázev: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
VytisknoutZobrazeno: 18. 4. 2024 07:26