MIKULÍK, Petr, D. LÜBBERT, P. PERNOT, L. HELFEN and T. BAUMBACH. Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging. Applied Surface Science. USA: ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), 2006, vol. 253, No 1, p. 188-193. ISSN 0169-4332.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging
Name in Czech Charakterizace rozorientace krystalitů v polovodičových deskách a ELO vzorcích metodou zobrazení rocking křivek
Authors MIKULÍK, Petr (203 Czech Republic, guarantor), D. LÜBBERT (276 Germany), P. PERNOT (203 Czech Republic), L. HELFEN (276 Germany) and T. BAUMBACH (276 Germany).
Edition Applied Surface Science, USA, ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), 2006, 0169-4332.
Other information
Original language English
Type of outcome Article in a journal
Field of Study 10302 Condensed matter physics
Country of publisher Germany
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
WWW URL
Impact factor Impact factor: 1.436
RIV identification code RIV/00216224:14310/06:00017520
Organization unit Faculty of Science
UT WoS 000242317500033
Keywords in English X-ray diffraction; X-ray topography; Microdiffraction; Crystal growth; Microstructure; GaAs; GaN
Tags Crystal growth, GAAS, GaN, Microdiffraction, microstructure, X-ray diffraction, X-ray topography
Tags International impact, Reviewed
Changed by Changed by: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Changed: 12/2/2007 18:35.
Abstract
Rocking curve imaging is based on measuring a series of Bragg-reflection digital topographs by monochromatic parallel-beam synchrotron radiation in order to quantify local crystal lattice rotations within a large surface area with high angular and high spatial resolution. In this paper we apply the method to map local lattice tilts in two distinct semiconductor sample types with lattice misorientations up to 0.5 deg and with spatial resolution from 30 um down to 1 um. We analyse the measured surface-tilt data volumes for samples with almost smoothly varying specific misoriented defect formation in GaAs wafers and for an inherent subsurface grain structure of epitaxial lateral overgrowth wings in GaN. Back-projected tilt maps and histograms provide both local and global characteristics of the microcrystallinity.
Abstract (in Czech)
Zobrazení rocking křivek (rocking curve imaging) je založeno na měření série digitálních topogramů v Braggovově uspořádání na odraz s paralelním synchrotronovým svazkem. Metoda umožňuj určit lokální rozorientování krystalové mříže na velké ploše vzorku s velkým úhlovým a laterálním rozlišením. V tomto článk aplikujeme metodu na studium lokálního náklonu mřížky ve dvou různých polovodičových vzorcích s rozorientacemi až do 0.5 deg a s laterálním rozlišením od 30 um do 1 um. Studovali jsme mikrokrystaly ve vzorcích, kterými byly GaAs desky a ELO vzorky GaN.
Links
MSM0021622410, plan (intention)Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures
PrintDisplayed: 30/5/2024 18:26