2006
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
JAŠEK, Ondřej, Monika KARÁSKOVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Daniel FRANTA et. al.Základní údaje
Originální název
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
Název česky
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
Název anglicky
Nanocrystalline diamond films deposition by PECVD in ASTEX type microwave reactor
Autoři
JAŠEK, Ondřej (203 Česká republika, garant), Monika KARÁSKOVÁ (203 Česká republika), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika), Daniel FRANTA (203 Česká republika), Zdeněk FRGALA (203 Česká republika), Jiřina MATĚJKOVÁ (203 Česká republika), Antonín REK (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Jiří BURŠÍK (203 Česká republika)
Vydání
1. vyd. Brno, Moderní trendy ve fyzice plazmatu a pevných látek II, od s. 133-138, 6 s. 2006
Nakladatel
Masarykova univerzita
Další údaje
Jazyk
čeština
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Kód RIV
RIV/00216224:14310/06:00016135
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
80-210-4195-1
Klíčová slova anglicky
nanocrystalline diamond;PECVD; microwave discharge
Změněno: 2. 1. 2007 09:30, doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D.
V originále
Nanokrystalické diamantové (NCD) vrstvy byly připraveny depozicí z plynné fáze (CVD) za nízkého tlaku v mikrovlnném plazmatu generovaném v reaktou typu ASTEX. Vrstvy byly připraveny na křemíkových substrátech s orientací (111) ze směsi metanu (9 %) a vodíku při teplotě substrátu 1090 K. Dodávaný mikrovlnný výkon (2,45 GHz) byl 850 W a pracovní tlak činil 7,5 kPa. Pro účel nukleace byl substrát vystaven vysokofrekvenčnímu výboji, který vytvářel samopředpětí -125 V. Připravené vrstvy vykazovaly velmi malou drsnost (kvadratická odchylka výšek 9,1 nm) a tvrdost a elastický modul dosahovaly hodnot 70 a 375 GPa. Optické konstanty byly určeny pomocí elipsometrie a měření reflexe a vyhodnoceny na základě Rayleigh-Riceovi teorie a disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty stavů. Depoziční rychlost byla 57 nm/min a to včetně 5 minutové nukleační fáze.
Anglicky
Nanocrystalline diamond film was deposited by microwave CVD in the ASTeX type reactor on a mirror polished (111) oriented n-doped silicon substrate. The deposition mixture consisted of 9 % of methane in hydrogen. The applied microwave power (2.45 GHz)and pressure were 850 W and 7.5 kPa, respectively. The substrate temperature was 1 090 K. The diamond nucleation process was enhanced by rf induced dc self{bias of i125 V. The film exhibited very low roughness (rms of heights 9.1 nm). Its hardness and elastic modules were 70 and 375 GPa, respectively. The optical constants were determined by combination of spectroscopic ellipsometry and reflectometry employing the Rayleigh-Rice theory for the roughness and the dispersion model of optical constants based on the parameterization of densities of states. The deposition rate was 57 nm/min including the 5 min nucleation step.
Návaznosti
| GA106/05/0274, projekt VaV |
| ||
| GA202/05/0607, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
| ||
| MSM4977751303, záměr |
|