a 2005

HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED

MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Günther BAUER, Claudiu FALUB, Detlev GRÜTZMACHER et. al.

Základní údaje

Originální název

HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED

Název česky

Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti

Autoři

MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Jiří NOVÁK (203 Česká republika), Günther BAUER (40 Rakousko), Claudiu FALUB (642 Rumunsko) a Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo)

Vydání

XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 2005, 2005

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Konferenční abstrakt

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Polsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/05:00020143

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

Klíčová slova anglicky

diffraction; diffusion; x-ray reflectivity

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam
Změněno: 25. 3. 2010 13:14, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

We have investigated annealing behavior of strain compensated Si/SiGe MQW structures with different multilayer periods, grown by molecular beam epitaxy on Si0.75Ge0.25 pseudo-substrates.

Česky

Studovali jsme chování deformačně kompenzovaných multivrstevnatých struktur Si/SiGe při žíhání s rozdílnými periodami multivrstvy, vypěstované molakulární svazkovou epitaxí na Si0.75Ge0.25 pseudo-substrátech.

Návaznosti

GP202/05/P286, projekt VaV
Název: Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
Investor: Grantová agentura ČR, Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur