J 2007

Organosilicon thin films deposited by plasma enhanced CVD: Thermal changes of chemical structure and mechanical properties

ZAJÍČKOVÁ, Lenka, Vilma BURŠÍKOVÁ, Zuzana KUČEROVÁ, Jana FRANCLOVÁ, Pavel SŤAHEL et. al.

Základní údaje

Originální název

Organosilicon thin films deposited by plasma enhanced CVD: Thermal changes of chemical structure and mechanical properties

Název česky

Organosilikonové tenké vrstvy připravené metodou PECVD: termálně indukované změny chemické struktury a mechanických vlastností

Autoři

ZAJÍČKOVÁ, Lenka (203 Česká republika, garant), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika), Zuzana KUČEROVÁ (203 Česká republika), Jana FRANCLOVÁ (203 Česká republika), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika), Vratislav PEŘINA (203 Česká republika) a Anna MACKOVÁ (203 Česká republika)

Vydání

Journal of Physics and Chemistry of Solids, Elsevier, 2007, 0022-3697

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 0.899

Kód RIV

RIV/00216224:14310/07:00022272

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000247887800117

Klíčová slova anglicky

Thin films;Organometallic compounds;Plasma deposition;Infrared spectroscopy;Mechanical properties

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 9. 1. 2008 09:46, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Thin organosilicon and silicon oxide films were deposited in r.f. capacitively coupled discharges from a mixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) and oxygen. The concentration of HMDSO was in the range 5-17%. Even for such relatively high dilution of HMDSO the organic-inorganic crossover of the film character was observed due to changes of the HMDSO concentration, but other factors, such as pressure and d.c. self-bias should also be taken into account. When annealed the films changed their composition, chemical structure and mechanical properties. We observed desorption of water, methane and CO or CO2 from the SiO2-like films. The hardness of the SiO2-like film, containing 5% carbon and 25% hydrogen, increased with the increase of annealing temperature from 5.9 (as deposited) to 11.3 GPa (500 oC). Simultaneously, its fracture toughness was significantly improved. These effects were explained by dehydration and cross-linking of the film. However, the mechanical properties of highly cross-linked SiO1:9C1:6H0:6 plasma polymer were superior over the SiO2-like film containing impurities and such film can be used as a protective coating with a hardness above 9.6 GPa up to the temperature of 400 oC.

Česky

Tenké organosilikonové vrstvy a vrstvy oxidu křemíku byly deponovány ve v.f. kapacitně vázaném výboji ze směsi HMDSO s kyslíkem

Návaznosti

MSM0021622411, záměr
Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
1K05025, projekt VaV
Název: Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou