2007
In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering
MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Günther BAUER, Václav HOLÝ, Claudiu FALUB et. al.Základní údaje
Originální název
In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering
Název česky
In-situ studie Si a Ge interdifuse v SiGe multivrstvách bohatých na Ge za použití rtg rozptylu
Autoři
MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Jiří NOVÁK (203 Česká republika), Günther BAUER (40 Rakousko), Václav HOLÝ (203 Česká republika), Claudiu FALUB (642 Rumunsko), Soichiro TSUJINO (392 Japonsko) a Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo)
Vydání
Semicond. Sci. Technol. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2007, 0268-1242
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.899
Kód RIV
RIV/00216224:14310/07:00020384
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000246104100026
Klíčová slova anglicky
interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 3. 7. 2007 09:43, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
From the temporal evolution of x-ray reflectivity and diffraction data at high temperature, we obtained an evolution of Si-SiGe interfaces induced by diffusion. The results of our experiment demonstrate that the activation energy and diffusion prefactor depend on Ge content linearly and exponentialy.
Česky
Z časového vývoje dat rtg reflexe a difrakce při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že aktivační energie resp. difúzní prefaktor závisí na koncentraci Ge lineárně resp. exponenciálně.
Návaznosti
| GP202/05/P286, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|