2007
Electronic structure of indium-tin alloys
VŠIANSKÁ, Monika, Dominik LEGUT a Mojmír ŠOBZákladní údaje
Originální název
Electronic structure of indium-tin alloys
Název česky
Elektronová struktura slitin india a cínu
Autoři
VŠIANSKÁ, Monika (203 Česká republika), Dominik LEGUT (203 Česká republika) a Mojmír ŠOB (203 Česká republika, garant)
Vydání
Brno, Sborník příspěvků VII. Pracovního setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků, od s. 135-137, 3 s. 2007
Nakladatel
Masarykova universita
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10403 Physical chemistry
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/07:00019531
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
9788021042353
Klíčová slova anglicky
Electronic structure; tin; indium; gamma-tin; virtual crystal approximation
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 30. 1. 2008 19:01, prof. RNDr. Mojmír Šob, DrSc.
V originále
The In-Sn system is interesting due to the existence of the simple hexagonal (sh) structure for compositions from 75 to 87 at% Sn at 25 st.C and from 73 to 85 at% Sn at -150 st.C. These alloys are usually referred to as gamma-Sn. The In-Sn alloys are disordered in the whole concentration interval. To describe disorder it is not quite easy. One of the possibilities how to study disordered alloys is the virtual crystal approximation (VCA). VCA investigates a solid as composed of "virtual" atoms which interpolate the behavior of the real atoms from the parent compounds.
Česky
Slitiny In-Sn jsou neuspořádané v celém koncentračním intervalu a patří mezi velmi úzký okruh slitin, které vykazují nejstabilnější (nejnižší totální energii) fázi s jednoduchou šesterečnou mřížkou. Tato struktura se nevyskytuje u žádného prvku periodické tabulky. Totální energie krystalových struktur čistého india, cínu a jejich slitin (i tzv. slitin gama-cin) byly studovány z prvních principů
Návaznosti
AV0Z20410507, záměr |
| ||
GA202/06/1509, projekt VaV |
| ||
GD106/05/H008, projekt VaV |
| ||
IAA1041302, projekt VaV |
| ||
MSM0021622410, záměr |
|