2007
Elektronová struktura slitin india a cínu
VŠIANSKÁ, Monika, Dominik LEGUT a Mojmír ŠOBZákladní údaje
Originální název
Elektronová struktura slitin india a cínu
Název česky
Elektronová struktura slitin india a cínu
Autoři
VŠIANSKÁ, Monika (203 Česká republika), Dominik LEGUT (203 Česká republika) a Mojmír ŠOB (203 Česká republika, garant)
Vydání
Brno, Sborník doktorské konference: Víceúrovňový design pokrokových materiálů, od s. 7-14, 8 s. 2007
Nakladatel
Ústav fyziky materiálů AVČR
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10403 Physical chemistry
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/07:00019532
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
978-80-254-0793-6
Klíčová slova anglicky
Electronic structure; tin; indium; gamma-tin; virtual crystal approximation
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 11. 10. 2010 12:15, Ing. Monika Všianská, Ph.D.
V originále
The InSn system is interesting by the existence of a simple hexagonal phase for compositions from 72 to 87 at% Sn at 25 st.C and from 73 to 85 at% Sn at -150 st.C. These alloys are usually referred to as gamma-Sn. The InSn alloys are disordered in the whole concentration interval. In this contribution, energetics and electronic structure of InSn system is studied from first principles. A simplified version of virtual crystal approximation is employed to describe disorder. It turns out that the present approach is capable of describing phase composition of InSn system in the whole concentration interval. In particular, we are able to reproduce the existence of simple hexagonal phase around 80 at% Sn.
Česky
Slitiny In-Sn jsou neuspořádané v celém koncentračním intervalu a patří mezi velmi úzký okruh slitin, které vykazují nejstabilnější (nejnižší totální energii) fázi s jednoduchou šesterečnou mřížkou. Tato struktura se nevyskytuje u žádného prvku periodické tabulky. Totální energie krystalových struktur čistého india, cínu a jejich slitin (i tzv. slitin gama-cin) byly studovány z prvních principů
Návaznosti
AV0Z20410507, záměr |
| ||
GA202/06/1509, projekt VaV |
| ||
GD106/05/H008, projekt VaV |
| ||
IAA1041302, projekt VaV |
| ||
MSM0021622410, záměr |
|